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龙图腾网获悉淮安捷泰新能源科技有限公司申请的专利一种N型指状多晶硅钝化结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120239360B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510712191.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种N型指状多晶硅钝化结构及其制备方法是由鲁伟明;安欣睿;朱玺;张晨设计研发完成，并于2025-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种N型指状多晶硅钝化结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种N型指状多晶硅钝化结构及其制备方法，包括沿硅片基底长度方向交错设置的非接触区域和接触区域，非接触区域与接触区域之间带有侧壁；接触区域包括自靠近硅片基底的一侧向远离硅片基底的一侧依次设置的隧穿氧化层、掺磷多晶硅层和电极栅线；隧穿氧化层的厚度为1nm‑5nm，掺磷多晶硅层的厚度为50nm‑200nm；非接触区域、接触区域和侧壁上均沉积有氧化铝氮化硅叠层，接触区域的氧化铝氮化硅叠层位于掺磷多晶硅层的外侧，非接触区域的氧化铝氮化硅叠层位于硅片基底上；侧壁自靠近非接触区域向接触区域逐渐倾斜向上设置，侧壁的倾角α为40°‑90°。本申请具有钝化效果好且生产成本低的效果。

本发明授权一种N型指状多晶硅钝化结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种N型指状多晶硅钝化结构，其特征在于：包括硅片基底1，所述硅片基底1的背面包括沿硅片基底1长度方向交错设置的非接触区域和接触区域，所述非接触区域与接触区域之间带有侧壁7； 所述接触区域包括自靠近硅片基底1的一侧向远离硅片基底1的一侧依次设置的隧穿氧化层2、掺磷多晶硅层3和电极栅线5；所述隧穿氧化层2的厚度为1nm-5nm，所述掺磷多晶硅层3的厚度为50nm-200nm； 所述非接触区域、接触区域和侧壁7上均沉积有氧化铝氮化硅叠层4，所述接触区域的氧化铝氮化硅叠层4位于掺磷多晶硅层3的外侧，所述非接触区域的氧化铝氮化硅叠层4位于硅片基底1上； 所述侧壁7自靠近非接触区域向接触区域逐渐倾斜向上设置，所述侧壁7的倾角α为62°-88°； 所述非接触区域与接触区域的高度差H为1μm-5μm； 所述N型指状多晶硅钝化结构由以下方法步骤制备得到： S1、在硅片基底1背面向外依次沉积隧穿氧化层2、掺磷多晶硅层3和保护层，其中保护层含有二氧化硅； S2、激光工艺：对硅片基底1背面的非接触区域进行激光扫描； S3、碱刻蚀：使用浓度5-50%的碱液，完全去除背表面非接触区域经激光处理的保护层和多晶硅层，且对其下的晶硅层也进行刻蚀，形成1-5μm深度的凹坑结构，随后再用HF去除接触区域的保护层； S4、背面钝化：硅片基底1背表面依次沉积氧化铝氮化硅叠层4，形成完整的钝化结构； S5、丝网印刷：电极栅线5对准栅线区域6进行印刷； 在对背面非接触区域进行碱刻蚀过程中,分别采用三种不同浓度的碱液进行清洗,三个碱液槽的碱液浓度依次由高到低设置为30%、25%、20%,使得碱刻蚀后形成凹坑结构。

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