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龙图腾网获悉达波科技(上海)有限公司申请的专利一种热氧化硅薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120174332B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510375901.7，技术领域涉及：C23C16/24；该发明授权一种热氧化硅薄膜的制备方法是由高嘉骏;潘峰;薛成龙;王含冠;柏文文;刘培森;肖博远;周鑫辰;杨朋辉;杨凯;华千慧;国洪辰;崔健设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种热氧化硅薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于氧化膜材料制备的技术领域，具体涉及一种热氧化硅薄膜的制备方，包括以下步骤：在LPCVD反应炉内，衬底表面上形成多晶硅薄膜，停止硅烷气体供应，通入氮气，升高温度，直至温度和压力稳定后，停止通入氮气，通入干燥氧气，生成热氧化硅薄膜；通过控制通入氧气的流量及通入氧气的时间，有效控制热氧化硅薄膜的厚度，该制备方法突破非硅基衬底材料的限制，在LPCVD反应炉内，不同衬底材料上制备热氧化硅薄膜，可以调控氧化硅和多晶硅的厚度比例，该制备方法用时间短、成本低、工艺简单，制备得到的产品膜厚均匀、表面粗糙度值低，可以满足晶圆键合工艺的要求，不需要额外工艺处理。

本发明授权一种热氧化硅薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种热氧化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在LPCVD反应炉内，衬底表面上形成多晶硅薄膜，多晶硅薄膜形成的条件：通入硅烷气体的流量为300~360sccm；在通硅烷气体之前，先通入氮气将反应炉的杂质气体去除，先通氮气的流量为520~600sccm，在升温至所需温度后，氮气的流量降至180~200sccm，待温度和压力稳定后，停止通入氮气； 2停止硅烷气体供应，先通入氮气的流量为520~600sccm，先通5-10分钟氮气，升高反应炉内的温度至热氧化所需温度，氮气的流量降至180~200sccm后，待温度和压力稳定后，停止通入氮气，再通入干燥氧气，通入氧气的流量为200~260sccm，使多晶硅薄膜表面发生氧化，生成热氧化硅薄膜层； 3通过控制通入氧气流量及通入氧气时间，有效控制热氧化硅薄膜的厚度；所述热氧化硅薄膜的膜厚均匀，表面粗糙度值＜1nm。

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