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龙图腾网获悉中国科学院兰州化学物理研究所申请的专利一种利用Cr/Ti共掺杂在氟醚橡胶表面制备梯度多级多层碳薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120099465B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510348389.7，技术领域涉及：C23C14/32；该发明授权一种利用Cr/Ti共掺杂在氟醚橡胶表面制备梯度多级多层碳薄膜的方法是由张俊彦;张斌;李伟业;高凯雄;杨攀峰设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用Cr/Ti共掺杂在氟醚橡胶表面制备梯度多级多层碳薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用CrTi共掺杂在氟醚橡胶表面制备梯度多级多层碳薄膜的方法，先将基底清洗吹干后放入磁控溅射腔体，抽至高真空条件下后通入Ar气体清洗基底；再采用阴极电弧磁过滤技术得到改性的金属微掺杂碳薄膜。获得的共掺杂碳薄膜明显提高摩擦性能，薄膜内部氢化非晶碳膜成分增加，同时也保持了薄膜自身的致密度和硬度；阴极电弧磁过滤技术使掺杂元素均匀弥散在薄膜内部，从而保证少量掺杂元素便能够获得薄膜性能提升；薄膜在摩擦过程中摩擦界面的有序度明显提高，具有低摩擦系数和低磨损率，提升了薄膜的摩擦学性能。

本发明授权一种利用Cr/Ti共掺杂在氟醚橡胶表面制备梯度多级多层碳薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用CrTi共掺杂在氟醚橡胶表面制备梯度多级多层碳薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将基材用酒精超声清洗10~20min以去除表面污染物，吹干后放于真空室内样品架上； 2抽真空至压强小于5×10-3Pa后通入高纯氩气，控制真空室内压强为0.3~0.5Pa，调节偏压电源至-500~-800V，对基材表面进行偏压清洗以去除基材表面杂质，处理时长10~15min； 3利用阴极电弧磁过滤技术在基材表面沉积金属微掺杂碳薄膜，具体为： 沉积CrTi过渡层：开启Cr、Ti电弧靶，设置靶电流比160A120A，电压比30V30V；通入氩气100sccm，控制气压0.37Pa；调节偏压75V、占空比60%、电流7.5A；沉积60min； ②沉积CrTiN过渡层：增加Ti电弧靶电流，电流比达到160A160A，电压比31V30.8V；通入氮气100sccm，氩气流量保持不变，气压达到0.34Pa；调节偏压75V，占空比60%，电流7.3A；沉积60min； 沉积TiNC过渡层：关闭Cr电弧靶，开启中心柱靶C靶，调节C靶直流电流4A，占空比60%，电压395V；减小氮气流量到50sccm，氩气不变；调节偏压75V，占空比60%，电流4.0A；沉积60min； 沉积a-C：Ti表面层：保持氩气流量不变，停止通入氮气，沉积60min；之后通入15sccm甲烷气体，气压达到0.34Pa；调节偏压50V，占空比60%，电流3.3A，沉积时间10min；增大甲烷流量至30sccm，调节中心柱靶C靶直流电流6A，占空比60%，电压510V，其他参数不变，沉积10min；继续增大甲烷流量至45sccm，调节中心柱靶C靶直流电流6A，占空比60%，电压490V，其他参数不变，沉积10min；继续增大甲烷流量60sccm，调节中心柱靶C靶直流电流6A，占空比60%，电压470V；其他参数不变，沉积10min；继续增大甲烷流量至75sccm，调节中心柱靶C靶直流电流6A，占空比60%，电压460V，其他参数不变，沉积20min。

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