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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构的制备方法、半导体结构、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076391B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510528637.6，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、半导体器件是由黄厚恒;宋富冉;周儒领设计研发完成，并于2025-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法、半导体结构、半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构、半导体器件，所述制备方法包括：提供基底；基底包括衬底和形成于衬底表面的第一氧化层；其中，衬底包括第一区域和第二区域；在第一氧化层上形成第一栅极材料层；其中，第一栅极材料层包括位于第一区域上的第一牺牲栅极材料部和位于第二区域上的第一栅极材料部；利用第一栅极材料部作为掩膜，基于干法刻蚀工艺去除第一牺牲栅极材料部和第一牺牲氧化部，并在第一区域表面形成第二栅氧化部；其中，第二栅氧化部的厚度与第一栅氧化部的厚度不同。如此，能够改善制备双栅氧化层过程中出现的光阻脱落问题，提升双栅氧化层的质量，进而保证半导体结构的性能和良率。

本发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底；所述基底包括衬底和形成于衬底表面的第一氧化层；其中，所述衬底包括第一区域和第二区域；所述第一氧化层包括位于第一区域上的第一牺牲氧化部和位于第二区域上的第一栅氧化部； 在所述第一氧化层上形成第一栅极材料层；其中，所述第一栅极材料层包括位于第一区域上的第一牺牲栅极材料部和位于第二区域上的第一栅极材料部； 在所述第一栅极材料层上形成第二氧化层；其中，所述第二氧化层包括位于第一区域上的第二牺牲氧化部和位于第二区域上的保护氧化部； 基于干法刻蚀工艺，去除所述第二牺牲氧化部、第一牺牲栅极材料部和第一牺牲氧化部； 在所述第一区域表面形成第二栅氧化部；其中，所述第二栅氧化部的厚度与所述第一栅氧化部的厚度不同； 在所述第二栅氧化部以及所述保护氧化部的表面沉积形成第二栅极材料层；其中，所述第二栅极材料层包括位于第一区域上的第二栅极材料部和位于第二区域上的第二牺牲栅极材料部； 对所述第二栅极材料层进行两次化学机械抛光工艺，以使所述第二栅极材料部与所述第一栅极材料部齐平；其中，所述保护氧化部用于保护所述第一栅极材料部。

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