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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035122B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510496595.2，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由吴永玉;高大为;苏婕设计研发完成，并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成分立的叠层器件，各个叠层器件包括沿所述基底表面法线方向，依次设置的第一器件结构和第二器件结构，其中，所述第一器件结构包括第一晶体管，所述第二器件结构包括第二晶体管和第三晶体管，且所述第二晶体管和所述第三晶体管共用第二沟道层，所述第二沟道层通过外延方式形成。采用上述技术方案，能够提升半导体结构的存储密度，提高数据读写速度。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成分立的叠层器件，各个叠层器件包括沿所述基底表面法线方向，依次设置的第一器件结构和第二器件结构，其中，所述第一器件结构包括第一晶体管，所述第二器件结构包括第二晶体管和第三晶体管，且所述第二晶体管和所述第三晶体管共用第二沟道层，所述第二沟道层通过外延方式形成；其中，所述第一晶体管包括第一栅极结构，所述第二晶体管还包括第二栅极结构，所述第三晶体管还包括第三栅极结构，且所述第二栅极结构和所述第三栅极结构至少与所述第二沟道层的侧壁相接触，所述半导体结构包括SRAM，所述第二晶体管作为第一下拉晶体管，所述第一晶体管作为第一上拉晶体管，所述第二栅极结构在所述基底上的投影，位于所述第一栅极结构在所述基底上的投影内，且所述第二栅极结构和所述第一栅极结构沿平行于基底表面上具有间隔，所述间隔是指所述第二栅极结构在所述第一栅极结构上的投影，与所述第一栅极结构的远端之间的间隔，且所述第一栅极结构的远端为不与所述第二栅极结构重叠的一端； 形成第一导电结构，所述第一导电结构贯穿所述第二沟道层，并与所述第一栅极结构电连接，且位于所述间隔。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江创芯集成电路有限公司，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道平澜路2118号浙江大学杭州国际科创中心水博园区11幢4层-5层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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