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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利模型及其建立方法和系统、补偿方法、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120029008B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311572052.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权模型及其建立方法和系统、补偿方法、设备及存储介质是由贾敏;聂智勇;胡旭;王兴荣设计研发完成，并于2023-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本模型及其建立方法和系统、补偿方法、设备及存储介质在说明书摘要公布了：一种模型及其建立方法和系统、补偿方法、设备及存储介质，建立方法包括：提供测试版图，包括测试图形，包括多个测试点；根据测试图形，获得各个测试点的初始图形密度；以任一个测试点为特征点，根据每个特征点的初始图形密度、以及位于特征点四周的多个测试点的初始图形密度对特征点的影响，获得特征点的有效图形密度，其中，各向异值地设置特征点四周的多个测试点的初始图形密度对特征点的影响程度；获得对应特征点的实际尺寸偏差；获得特征点的预估尺寸偏差；根据预估尺寸偏差和实际尺寸偏差，判断预估尺寸偏差是否满足预设条件；当预估尺寸偏差满足预设条件时，完成刻蚀偏差补偿模型的建立。本发明更精准地建立刻蚀偏差补偿模型。

本发明授权模型及其建立方法和系统、补偿方法、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种刻蚀偏差补偿模型的建立方法，其特征在于，包括： 提供测试版图，所述测试版图包括测试图形，所述测试版图包括多个测试点； 根据所述测试图形，获得各个测试点的初始图形密度； 以任一个测试点为特征点，根据每个特征点的初始图形密度、以及位于所述特征点四周的多个测试点的初始图形密度对所述特征点的影响，获得所述特征点的有效图形密度，其中，各向异值地设置所述特征点四周的多个测试点的初始图形密度对所述特征点的影响程度； 获取所述测试图形对应的实际刻蚀图形； 量测所述实际刻蚀图形，获得对应特征点的实际尺寸偏差； 根据所述有效图形密度，获得所述特征点的预估尺寸偏差； 根据所述预估尺寸偏差和实际尺寸偏差，判断所述预估尺寸偏差是否满足预设条件； 当所述预估尺寸偏差未满足所述预设条件时，调节所述特征点四周的多个测试点的初始图形密度对所述特征点的影响程度，并返回执行以任一个测试点为特征点，根据每个特征点的初始图形密度、以及位于所述特征点四周的多个测试点的初始图形密度对所述特征点的影响，获得所述特征点的有效图形密度； 当所述预估尺寸偏差满足所述预设条件时，完成所述刻蚀偏差补偿模型的建立。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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