上海积塔半导体有限公司郭丽娜获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体测试结构及其测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920801B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510101335.0，技术领域涉及：H10W46/00；该发明授权半导体测试结构及其测试方法是由郭丽娜;刘翔设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体测试结构及其测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体测试结构及其测试方法。半导体测试结构设置于晶圆的划片道上，包括：晶体管，包括衬底、源极、漏极和栅极；电熔丝，包括第一端和第二端；其中，源极通过第一金属线电连接至第一焊盘，电熔丝的第二端通过第二金属线电连接至第二焊盘，漏极、衬底以及电熔丝的第一端分别通过相应的第三金属线电连接至第三焊盘，栅极通过第四金属线电连接至第四焊盘，通过采用预设规则对第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第四焊盘施加电压以测试电熔丝的电阻以及测试晶体管的性能。上述技术方案可以在晶圆制造过程中实现线内同时监控电熔丝的电阻和晶体管的性能，快速调整工艺，提高工艺的灵活性。
本发明授权半导体测试结构及其测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，所述半导体测试结构设置于晶圆的划片道上，包括：晶体管，包括衬底、源极、漏极和栅极；电熔丝，包括第一端和第二端；其中，所述源极通过第一金属线电连接至第一焊盘，所述电熔丝的第二端通过第二金属线电连接至第二焊盘，所述漏极、所述衬底以及所述电熔丝的第一端分别通过相应的第三金属线电连接至第三焊盘，所述栅极通过第四金属线电连接至第四焊盘，通过采用预设规则对所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第三焊盘、所述第四焊盘施加电压以测试所述电熔丝的电阻以及测试所述晶体管的性能；在测试完所述电熔丝的电阻及所述晶体管的性能之后，通过在所述第一焊盘、所述第二焊盘以及所述第四焊盘施加编程电压能够对所述电熔丝进行编程。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海积塔半导体有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区云水路600号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励