广州增芯科技有限公司张亚南获国家专利权
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龙图腾网获悉广州增芯科技有限公司申请的专利一种降低压力传感器制造成本的方法及压力传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119873733B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411989627.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种降低压力传感器制造成本的方法及压力传感器是由张亚南设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低压力传感器制造成本的方法及压力传感器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种降低压力传感器制造成本的方法及压力传感器，该方法包括：提供第一衬底，包括依次层叠的底硅层、埋氧层和顶硅层。自顶硅层的顶面一侧，在顶硅层的预设区域内形成第一掺杂区和第二掺杂区；在形成第一掺杂区和第二掺杂区后，自底硅层的底面一侧，在底硅层内形成被底硅层的底面所暴露的空腔凹槽，空腔凹槽的槽底露出埋氧层；本发明以形成空腔凹槽的光刻掩膜层为掩膜进行离子注入，以在顶硅层的预设区域内形成阱区，节省了一道光罩，从而降低了压力传感器的制备成本。
本发明授权一种降低压力传感器制造成本的方法及压力传感器在权利要求书中公布了：1.一种降低压力传感器制造成本的方法，其特征在于，包括： 提供第一衬底，包括依次堆叠的底硅层、埋氧层和顶硅层； 自所述顶硅层的顶面一侧，在所述顶硅层的预设区域内形成第一掺杂区和第二掺杂区； 在所述底硅层的底面形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层包括空腔凹槽窗口图形和阻挡区，所述空腔凹槽窗口图形和所述预设区域上下对应，且所述空腔凹槽窗口图形的尺寸大于所述预设区域的尺寸； 以所述图形化的掩膜层为掩膜，对所述空腔凹槽窗口图形内的所述底硅层进行刻蚀，刻蚀终点停留在所述埋氧层的表面； 以所述图形化的掩膜层为掩膜，自所述底硅层的底面一侧，对所述顶硅层的预设阱区位置进行离子注入以形成阱区，所述预设阱区位置与所述空腔凹槽上下对应； 提供第二衬底，并将所述第二衬底和所述第一衬底的底硅层的底面进行键合，以形成压力传感器。
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