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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利用于检测衬底缺陷的方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119852287B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510031519.4，技术领域涉及：H10W46/00；该发明授权用于检测衬底缺陷的方法及装置是由刘翔设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于检测衬底缺陷的方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于检测衬底缺陷的方法及装置。所述用于检测衬底缺陷的方法包括如下步骤：提供待测衬底，所述待测衬底包括沿第一方向相对分布的顶面和底面；形成沿第二方向间隔排布的多个测试结构，每个所述测试结构包括位于所述待测衬底内的PN结，且至少存在两个所述测试结构中的所述PN结的结深不同；获取与多个所述测试结构分别对应的多个反偏漏电流；判断多个所述反偏漏电流中是否存在至少一个所述反偏漏电流的数量级高于其他所述反偏漏电流的数量级，若是，则确认所述待测衬底内存在缺陷。本发明不仅简化了待测衬底内缺陷检测的操作，而且避免了对待测衬底造成损伤，有效改善了缺陷检测的效率。

本发明授权用于检测衬底缺陷的方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种用于检测衬底缺陷的方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供待测衬底，所述待测衬底包括沿第一方向相对分布的顶面和底面，所述待测衬底为硅衬底； 形成沿第二方向间隔排布的多个测试结构，每个所述测试结构包括位于所述待测衬底内的PN结，且至少存在两个所述测试结构中的所述PN结的结深不同，所述第二方向与所述待测衬底的顶面平行； 获取与多个所述测试结构分别对应的多个反偏漏电流； 判断多个所述反偏漏电流中是否存在数量级不同的两个所述反偏漏电流，若是，则确认数量级较高的所述反偏漏电流对应的所述PN结的结深处存在缺陷； 判断所述数量级不同的两个所述反偏漏电流中数量级较低的所述反偏漏电流是否位于阈值范围内，若否，则确认所述数量级较低的所述反偏漏电流对应的所述PN结的结深处也存在缺陷，所述阈值范围为皮安级范围； 形成沿第二方向间隔排布的多个测试结构的具体步骤包括：于所述待测衬底中定义沿所述第二方向间隔排布的多个测试区域；针对每个所述测试区域，先自所述待测衬底的顶面注入第一掺杂离子至所述测试区域，形成位于所述待测衬底内的第一掺杂区；然后，再次自所述待测衬底的顶面注入第二掺杂离子至所述第一掺杂区内，形成位于所述第一掺杂区内且深度小于所述第一掺杂区的第二掺杂区，所述第一掺杂离子的导电类型与所述第二掺杂离子的导电类型相反，以于所述测试区域内形成包括所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的所述测试结构；位于同一所述测试区域内的所述第一掺杂区与所述第二掺杂区的接触界面为所述PN结，所述PN结与所述待测衬底的顶面沿所述第一方向的距离为所述PN结的结深。

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