北京纳米能源与系统研究所张冀周获国家专利权
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龙图腾网获悉北京纳米能源与系统研究所申请的专利一种晶体管、其制作方法及电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119835986B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411976393.X，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权一种晶体管、其制作方法及电子器件是由张冀周;翟俊宜;胡卫国;许特;王江文;杨震;李秋锐;田时代设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶体管、其制作方法及电子器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶体管、其制作方法及电子器件，电极的制作材料包括钛合金和金合金，导电穿透部穿过势垒层，且分别与电极和沟道层内的二维电子气直接连接，实现了电极与二维电子气的直接接触，在电极与二维电子气的接触为欧姆接触时，导电穿透部的存在可以降低欧姆接触时的接触电阻，从而提升晶体管的电学性能。
本发明授权一种晶体管、其制作方法及电子器件在权利要求书中公布了：1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括： 在衬底之上依次层叠形成沟道层和势垒层； 采用镀膜技术，在所述势垒层之上依次层叠形成钛合金层和金层； 对形成所述钛合金层和所述金层的衬底进行热处理，形成导电穿透部和电极，所述导电穿透部穿过所述势垒层且分别与所述电极和所述沟道层内的二维电子气直接连接；所述电极的制作材料包括：由所述钛合金层中的钛合金和所述金层中的金形成的钛合金和金合金；所述沟道层的制作材料为GaN，所述势垒层的制作材料为AlGaN或AlN，所述导电穿透部中包括氮化钛，所述导电穿透部由多个穿透岛连接形成；所述钛合金包括：钛铝合金和钛铝钽合金，所述导电穿透部包括第三合金，所述第三合金为金铝钽合金，所述第三合金呈网状结构并分散于所述导电穿透部中，增加所述导电穿透部的横向面积，降低接触电阻。
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