江苏超芯星半导体有限公司刘欣宇获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏超芯星半导体有限公司申请的专利一种单晶金刚石及其制备方法和用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119800501B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411995596.3，技术领域涉及：C30B29/04；该发明授权一种单晶金刚石及其制备方法和用途是由刘欣宇;袁振洲设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单晶金刚石及其制备方法和用途在说明书摘要公布了：本发明涉及一种单晶金刚石及其制备方法和用途，所述制备方法包括以下步骤：刻蚀处理金刚石籽晶；然后通入碳源、氢气和氯气，进行单晶金刚石的沉积生长；沉积生长结束后进行后处理，得到所述单晶金刚石。本发明通过在化学气相沉积过程中同时引入氯气与氢气，能够促进金刚石相的选择性生长，氯气可以帮助减少非金刚石碳如石墨的形成，从而提高金刚石单晶的质量和生长速度，降低位错密度。
本发明授权一种单晶金刚石及其制备方法和用途在权利要求书中公布了：1.一种单晶金刚石的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 刻蚀处理金刚石籽晶；然后通入碳源、氢气和氯气，进行单晶金刚石的沉积生长；沉积生长结束后进行后处理，得到所述单晶金刚石； 所述刻蚀处理包括：抽真空条件下，激发混合气体，对金刚石籽晶进行刻蚀；所述混合气体包括流量比为95-99:5-1的氢气和氯气； 所述碳源、氢气和氯气通入时的流量比为10-20:300-400:1-5。
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