安徽光智科技有限公司刘羊获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽光智科技有限公司申请的专利多光谱硫化锌晶体的制备工艺获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119753602B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411692487.4,技术领域涉及:C23C14/35;该发明授权多光谱硫化锌晶体的制备工艺是由刘羊;杨雁培;于金凤;尤青松;刘俊俊;李光存;陈小民;陈毅明;王芝琳设计研发完成,并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本多光谱硫化锌晶体的制备工艺在说明书摘要公布了:一种多光谱硫化锌晶体的制备工艺包括步骤:S1,原生CVD硫化锌晶体材料的表面加工处理;S2,超声波清洗;S3,磁控溅射镀制Pd膜层,包括子步骤:S31,将清洗后的硫化锌晶体材料装入溅射室,S32,将金属Pd材质的靶材安装,S33,将溅射室抽真空,S34,设定工作条件:通氩气,氩气流量为20‑200sccm,溅射气压0.1‑1.0Pa,溅射温度为常温,S35,溅射镀Pd膜层,厚度100‑500nm,只有底部安装的面未镀制,其余面均已镀制,S36,第一次镀膜后,使溅射室达到外界大气压,取出,S37,将取出的硫化锌晶体材料装入溅射室,步骤S35中未镀制膜层的面作为待镀膜面,重复子步骤S33、子步骤S35、子步骤S36,整个外表面镀Pd膜层;S4,热等静压处理;S5,光学冷加工,将各面的Pd膜层去除。
本发明授权多光谱硫化锌晶体的制备工艺在权利要求书中公布了:1.一种多光谱硫化锌晶体的制备工艺,其特征在于,包括步骤: S1,原生CVD硫化锌晶体材料的表面加工处理,以使原生CVD硫化锌晶体材料的表面的粗糙度控制在Ra=0.1-1.5μm; S2,超声波方式清洗; S3,磁控溅射镀制Pd膜层,包括子步骤: S31,将步骤S2清洗后的原生CVD硫化锌晶体材料装入磁控溅射镀膜机的溅射室, S32,将金属Pd材质的靶材安装到溅射室; S33,将溅射室抽真空至绝对压力1.0×10-3Pa; S34,设定工作条件:通入氩气,氩气流量为20-200sccm,溅射气压0.1-1.0Pa,溅射温度为常温; S35,在原生CVD硫化锌晶体材料的表面第一次溅射镀Pd膜层,溅射镀Pd膜层的厚度为100-500nm,此时,只有原生CVD硫化锌晶体材料的底部安装的面未镀制膜层,而原生CVD硫化锌晶体材料的表面中的其余面均已镀制膜层; S36,第一次镀膜完成后,使溅射室达到外界大气压,取出第一次溅射镀Pd膜层的原生CVD硫化锌晶体材料,取出过程中避免原生CVD硫化锌晶体材料被污染; S37,将取出的第一次溅射镀Pd膜层的原生CVD硫化锌晶体材料的镀膜面装入磁控溅射镀膜机的溅射室,步骤S35中未镀制膜层的面作为待镀膜面正对着靶材,重复子步骤S33、子步骤S35、子步骤S36,得到整个外表面镀Pd膜层的原生CVD硫化锌晶体材料; S4,热等静压处理,得到热等静压处理的整个外表面镀Pd膜层的晶体材料; S5,光学冷加工,将热等静压处理的整个外表面镀Pd膜层的晶体材料的各面的Pd膜层去除,得到多光谱硫化锌晶体材料,得到的多光谱硫化锌晶体材料边缘无雾层且整体无雾层。
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