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龙图腾网获悉成都迪恩特科光电科技有限公司申请的专利一种晶体生长炉旋转电机控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119696454B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411821683.7，技术领域涉及：H02P23/00；该发明授权一种晶体生长炉旋转电机控制方法是由李文龙设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶体生长炉旋转电机控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶体生长炉旋转电机控制方法，涉及晶体生长炉技术领域。该晶体生长炉旋转电机控制方法，通过深入研究炉体结构与晶体熔体温度分布之间的相互作用，以及热场结构对生长界面的影响，成功优化了热场设计，利用数值计算和分析技术，精确地模拟了炉内温度分布，确保了晶体生长过程中的温度均匀性，从而提升了晶体的质量，并减少了能源消耗，此外，采用人工神经网络模型来预测生长条件，并优化相关参数，实现了对晶体生长过程的精细控制，最后通过实验验证和调整，确保了模拟的准确性，并提高了模型的适用性和精确度，自动化和优化的控制流程显著提升了科研和生产的效率，缩短了研发周期，并加速了新产品的上市。

本发明授权一种晶体生长炉旋转电机控制方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体生长炉旋转电机控制方法，其特征在于，具体包括以下步骤： S1.建立几何与物理模型 根据晶体生长炉的实际结构，建立几何模型，包括坩埚、加热器和隔热材料，同时建立物理模型，包括热传导、流体动力学和质量传递，使用Boltzmann方程和格子Boltzmann方法进行晶体生长模拟； S2.数据计算与结果分析 使用有限体积法对控制方程进行离散，公式为： 其中f代表速度、焓以及湍流参数物理量，u为速度场，D为扩散系数，S为源项，接着采用复函数法求解电磁场，确保模型的正确性，接着进行全局数据模拟，分析晶体和溶体中的温度分布、热屏和石英坩埚之间的氩气对流以及晶体中的热应力； S3.优化热场结构 通过改变坩埚形状，加热器位置、隔热笼分隔块位置参数，利用计算机数值模拟对晶体生长过程进行优化，分析优化后的热屏对加热器的影响，侧壁碳毡对热损失的阻止效果以及导流系统对上壁面SiO沉积的降低效果； S4.工艺参数优化 利用人工神经网络和遗传算法对提拉速度、晶体转速、环境气体和坩埚壁温度工艺参数进行优化，以获得紧密平坦的固液界面，通过响应面法确定最佳热场分布下的晶转、埚转，具体使用梯度下降法来更新网络权重： Δw＝-ηj’w 其中，η是学习率，j’w是损失关于参数的梯度； S5.机器学习模型建立与训练 基于CFD模拟的数据，利用人工神经网络建立晶体生长过程的模型，训练神经网络模型，使其能够预测SiC晶体生长的CFD模拟结果，并实现生长条件优化； S6.旋转电机控制 控制器控制旋转电机使提拉装置转动籽晶，使晶体旋转，使用BLDC电机正弦整流换向公式来计算转矩： 转轴转矩＝Kt[IRsinθ+ISsinθ+120°+ITsinθ+240°] 其中，θ为转轴的电角度，Kt为电机的转矩常数，IR,IS,IT为相位电流，在等径生长阶段，控制器控制旋转电机使提拉装置转动籽晶，同时控制加热装置对坩埚进行加热； S7.数据反馈与闭环控制 使用编码器反馈坩埚杆和籽晶杆的位置，实现闭环控制和显示，通过触摸屏进行参数设定和显示，监控电机的实时状态，并根据反馈调整控制参数，具体使用PID控制算法对晶体生长过程中的关键参数进行闭环控制： 其中，Kp是比例系数，Ki是积分系数，Kd是微分系数，et是偏差； S8.实验验证与调整 实施晶体生长实验，验证数值模拟的准确性，并根据实现结果调整模型参数以提高模拟的可靠性。

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