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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利采用MgSiN2烧结助剂结合发泡法制备高长径比高分散性Si3N4晶须的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119663414B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411994246.5，技术领域涉及：C30B1/02；该发明授权采用MgSiN2烧结助剂结合发泡法制备高长径比高分散性Si3N4晶须的方法是由王为得;刘一铭;马青松;陈思安;郭蕾;彭峥设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本采用MgSiN2烧结助剂结合发泡法制备高长径比高分散性Si3N4晶须的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了采用MgSiN22烧结助剂结合发泡法制备高长径比高分散性Si33N44晶须的方法，采用MgSiN22及Si33N44粉作为主要原料，在混合浆料中加入凝胶剂、发泡剂将其制成多孔泡沫状，混合原料分布在泡沫壁上，能够为晶须的生长提供更为充足的空间，进而提高Si33N44晶须的长径比及分散性。

本发明授权采用MgSiN2烧结助剂结合发泡法制备高长径比高分散性Si3N4晶须的方法在权利要求书中公布了：1.采用MgSiN2烧结助剂结合发泡法制备高长径比高分散性Si3N4晶须的方法，其特征在于：包括以下步骤： 1将氮化硅粉体、烧结助剂和凝胶剂分散于去离子水中，混合得到氮化硅混合浆料； 所述的混合浆料的固体物质总含量为10vol%-40vol%； 所述的烧结助剂为氮化硅镁，氮化硅镁与氮化硅的质量比为1:5-100； 所述的凝胶剂为异丁烯与马来酸酐的共聚物，凝胶剂占氮化硅混合浆料的0.5wt%-2.0wt%； 2将复合发泡剂与去离子水混合后进行发泡处理，处理后将混合物与上步骤得到的氮化硅混合浆料混合后球磨处理，球磨转速300rpm-450rpm，时间6h-24h，得到泡沫原料，将泡沫原料移至圆筒状塑料模具中，在设定温度条件下自然干燥，脱模后得到多孔的氮化硅泡沫坯体； 所述的复合发泡剂加入总质量为氮化硅混合浆料的0.1wt%-1.5wt%； 所述的复合发泡剂中，阴离子表面活性剂与阳离子表面活性剂的质量比为1:0.5-1.5；所述的阴离子表面活性剂为月桂酰基氨酸钠；所述的阳离子表面活性剂为十二烷基三甲基溴化铵、十四烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基溴化铵和十八烷基三甲基溴化铵中的至少一种； 3将上步骤得到的多孔的氮化硅泡沫坯体在≥0.1MPa的氮气气氛下，进行高温烧结处理，得到高长径比易分散的Si3N4晶须，晶须长径比为20-40，晶须表面光滑、纯净，晶须生长的交叉情况少，分散性好； 所述的高温烧结处理，是无压烧结，烧结温度1600℃-1800℃，烧结过程中保温时间1h-8h，升温速率为5℃min-20℃min，降温过程为随炉冷却至室温。

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