中国电子科技集团公司第二十四研究所廖文龙获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利屏蔽栅沟槽MOSFET的元胞结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653842B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411866043.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权屏蔽栅沟槽MOSFET的元胞结构及其制作方法是由廖文龙;张广胜;张培健;朱坤峰;杨伟;洪敏;易孝辉;钱坤;唐新悦设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本屏蔽栅沟槽MOSFET的元胞结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种屏蔽栅沟槽MOSFET的元胞结构及其制作方法，屏蔽栅沟槽MOSFET的元胞结构包括衬底、漂移区和层间介质层，所述漂移区上设置有深沟槽，所述深沟槽中设置有屏蔽栅、中间氧化物层和控制栅；所述漂移区的上部通过注入形成有体区和源区，所述层间电介质设置有贯穿源区并伸入体区的源极接触孔，所述源极接触孔的侧壁和底部均通过注入形成有高掺杂接触区；所述源极接触孔的下方通过高能离子注入形成有电荷平衡区。本发明中，通过设置电荷平衡区可以在屏蔽栅沟槽MOSFET器件处于反偏状态下时增强屏蔽栅对相邻的漂移区的横向耗尽，减低了器件的比导通电阻，加快了外延层漂移区耗尽，提升了器件的可靠性和抗辐照性能。
本发明授权屏蔽栅沟槽MOSFET的元胞结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅沟槽MOSFET的元胞结构制作方法，其特征在于，包括以下步骤： S100、在衬底上形成漂移区，在所述漂移区上形成深沟槽；所述衬底为第一掺杂类型的重掺杂衬底，所述漂移区为第一掺杂类型重掺杂； S200、在所述深沟槽中依次形成屏蔽栅、中间氧化物层和控制栅； S300、在所述漂移区的上部通过注入依次形成体区和源区； S400、通过化学气相沉积形成层间介质层，并在源区上方进行通孔刻蚀，形成贯穿层间电介质和源区，并伸入体区的源极接触孔； S500、通过源极接触孔在其下方进行高能离子注入，形成电荷平衡区域，并在源极接触孔的侧壁和底部通过注入形成高掺杂接触区；所述电荷平衡区为第二掺杂类型，所述高掺杂接触区为第二掺杂类型重掺杂； S600、在源极接触孔中填充金属塞，并在层间介质层上形成与金属塞连接的源极金属；在衬底的背面形成漏极金属。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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