浙江创芯集成电路有限公司杨佳斐获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法、量测套刻误差的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119620535B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411829642.2，技术领域涉及：G03F7/00；该发明授权半导体结构及其形成方法、量测套刻误差的方法是由杨佳斐;李胜;吴建明;张勇设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法、量测套刻误差的方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法、量测套刻误差的方法，结构包括：待测晶圆，待测晶圆包括量测区域；第一量测标记，位于量测区域，第一量测标记包括沿第一方向延伸且相正对的第一条状结构以及沿第二方向延伸且相正对的第二条状结构，第一方向与第二方向相垂直，且相正对的第一条状结构和相正对的第二条状结构围成的形状呈矩形状；第二量测标记，位于量测区域，第二量测标记环绕包围第一量测标记，第二量测标记围成的形状呈矩形状，且第二量测标记的顶部与第一量测标记的顶部之间具有高度差。提高了对晶圆首层图案的套刻误差监测的精准度，提高了晶圆的产品良率。
本发明授权半导体结构及其形成方法、量测套刻误差的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，适于量测晶圆首层图案的套刻误差，其特征在于，包括： 待测晶圆，所述待测晶圆包括量测区域； 第一量测标记，位于所述量测区域，所述第一量测标记包括沿第一方向延伸且相正对的第一条状结构以及沿第二方向延伸且相正对的第二条状结构，所述第一方向与第二方向相垂直，且相正对的所述第一条状结构和相正对的所述第二条状结构围成的形状呈矩形状； 第二量测标记，位于所述量测区域，所述第二量测标记环绕包围所述第一量测标记，所述第二量测标记围成的形状呈矩形状，且所述第二量测标记的顶部与所述第一量测标记的顶部之间具有高度差。
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