重庆芯联微电子有限公司周娴获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆芯联微电子有限公司申请的专利一种聚焦深度测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119535913B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411980543.4，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种聚焦深度测量方法是由周娴;敖振宇;陈咏翔;曾鼎程;范富杰;胡展源设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种聚焦深度测量方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供一种聚焦深度测量方法，包括以下步骤：提供掩膜图形和待测试件，掩膜图形包括若干第一图形和第二图形，第一图形与相邻第二图形之间的距离小于或等于第一距离；对待测试件曝光显影将掩膜图形转移至待测试件上；根据第二图形，对待测试件进行第一类测量，得到待测试件上第二图形的聚焦深度；对待测试件进行第二类测量，得到待测试件上第一图形的聚焦深度；实现了在极小量测范围内同时精准测量待测试件上密集图形和孤立图形的聚焦深度，无需对较为临近的两种图形分开进行两次量测，并降低或避免了密集图形发生失真的风险，后续对密集图形进行切片检查时，能够更精准的反应密集图形的轮廓结构及尺寸。
本发明授权一种聚焦深度测量方法在权利要求书中公布了：1.一种聚焦深度测量方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供掩膜图形和待测试件，所述掩膜图形包括若干第一图形和若干第二图形； 对所述待测试件进行曝光显影，以将所述掩膜图形转移至所述待测试件上； 根据所述第二图形，对所述待测试件进行第一类量测，以得到所述待测试件上第二图形的聚焦深度； 对所述待测试件进行第二类量测，以得到所述待测试件上第一图形的聚焦深度； 其中，在所述待测试件上，所述第一图形与相邻的第二图形之间的距离小于或等于第一距离，所述第一距离为3μm~10μm； 所述第一类量测为利用光学量测系统对所述待测试件进行光学量测，所述第二类量测为利用扫描电子显微镜对所述待测试件进行量测； 所述掩膜图形包括多个第一图形，在所述待测试件上相邻两个所述第一图形之间的距离大于第二距离，所述第二距离为3μm~10μm。
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