中国科学技术大学安航获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利单晶钛酸锶衬底的再生方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119507034B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311059888.1,技术领域涉及:C30B25/18;该发明授权单晶钛酸锶衬底的再生方法是由安航;吕頔设计研发完成,并于2023-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本单晶钛酸锶衬底的再生方法在说明书摘要公布了:本公开提供了一种单晶钛酸锶衬底的再生方法,包括:先在单晶钛酸锶衬底上沉积铝酸锶薄膜后,再进行钙钛矿型薄膜的外延;将外延完成后的样品置于水中溶解铝酸锶薄膜,并转移钙钛矿型薄膜,得到钛酸锶衬底;清洗钛酸锶衬底后,用氟化铵‑氢氟酸缓冲液进行刻蚀处理,再进行退火处理以再生单晶钛酸锶衬底。本公开提供的再生方法可以获得单一钛氧终止面的单晶钛酸锶衬底,并能实现单晶钛酸锶衬底的重复利用。
本发明授权单晶钛酸锶衬底的再生方法在权利要求书中公布了:1.一种单晶钛酸锶衬底的再生方法,包括: 先在单晶钛酸锶衬底上沉积铝酸锶薄膜后,再进行钙钛矿型薄膜的外延; 将外延完成后的样品置于水中溶解所述铝酸锶薄膜,并转移所述钙钛矿型薄膜,得到钛酸锶衬底; 清洗所述钛酸锶衬底后,用氟化铵-氢氟酸缓冲液进行刻蚀处理,处理时间为48~55秒,将所述刻蚀处理后的钛酸锶衬底用去离子水清洗后,用氮气吹干,再进行退火处理以再生所述单晶钛酸锶; 其中,所述氟化铵-氢氟酸缓冲液由氟化铵和氢氟酸以摩尔比例为7:1混合配置而成;所述退火处理在氧气压力为10-5Torr条件下进行,温度为950-1100℃,处理时间不低于30min,以得到具有原子级台阶结构的单晶钛酸锶衬底。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学技术大学,其通讯地址为:230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励