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龙图腾网获悉三一硅能(株洲)有限公司申请的专利半导体结构掺杂浓度分布测量系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119470370B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411591240.3，技术领域涉及：G01N21/64；该发明授权半导体结构掺杂浓度分布测量系统是由陈安妮;徐昆;赵保星设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构掺杂浓度分布测量系统在说明书摘要公布了：本发明涉及光学测量技术领域，公开了一种半导体结构掺杂浓度分布测量系统，包括激发模块，用于产生激发光；分光模块，分光模块位于激发光的光路上，用于将激发光分为第一功率光和第二功率光，第一功率光用于照射待测样品；测量模块，测量模块位于第二功率光的光路上，用于测量第二功率光的功率；采集模块，用于采集待测样品在第一功率光激发下产生的测试光的光谱信号。本发明实施例能够实现半导体结构掺杂浓度分布的非接触、无损测量。

本发明授权半导体结构掺杂浓度分布测量系统在权利要求书中公布了：1.一种采用半导体结构掺杂浓度分布测量系统进行半导体结构掺杂浓度分布测量的方法，其特征在于，包括： 激发模块100，用于产生激发光； 分光模块200，所述分光模块200位于所述激发光的光路上，用于将所述激发光分为第一功率光和第二功率光，所述第一功率光用于照射待测样品2； 测量模块300，所述测量模块300位于所述第二功率光的光路上，用于测量所述第二功率光的功率； 采集模块400，用于采集所述待测样品2在所述第一功率光激发下产生的测试光的光谱信号； 承载模块500，用于承载所述待测样品2； 位置控制模块600，所述位置控制模块600与所述承载模块500连接； 处理模块800，所述采集模块400和所述位置控制模块600均与所述处理模块800连接，所述处理模块800用于处理所述测试光的光谱信号； 所述半导体结构掺杂浓度分布测量的方法包括： 首先，在承载模块放置校准样品，校准样品的掺杂浓度分布已知，即校准样品的参数Np、zp、zf，以及zp和zf的关系已知；其中，Np为峰值浓度，zp为峰值浓度所在深度，zf为深度因子，zf和zp在标准高温扩散过程中具有内在相关性； 然后，控制激发模块产生波长λexc1和λexc2的激发光，在波长λexc1的激光条件下，得到积分强度比R1与Np×zp+zf的第一校准曲线，在波长λexc2的激光条下，得到积分强度比R2，并得到积分强度比的相对变化R1-R2R1与zf的第二校准曲线，并通过两个校准曲线拟合出相对应的函数关系；其中，定义I1为硅衬底光谱峰所处波长λ1与扩散层重掺杂的带间发射光谱峰所处波长λ2之间的积分强度，I2为扩散层重掺杂的带间发射光谱峰所处波长λ2与扩散层重掺杂的带间发射光谱峰的光子复制光谱峰所处波长λ3之间的积分强度，并且使用积分强度比R＝I2I1来定量表征扩散层； 接下来，取下校准样品，在承载模块放置待测样品，控制激发模块产生波长λexc1和λexc2的激发光，得到待测样品的R1exp和R2exp，利用第一校准曲线、第二校准曲线，以及zp和zf的函数关系，得到待测样品的参数Np、zp、zf； 最后，根据待测样品的参数Np、zp、zf，结合重建待测样品的掺杂浓度分布曲线。

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