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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种(NH4)AZ3型三元金属卤化物单晶纳米片的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119465386B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411431599.4，技术领域涉及：C30B25/00；该发明授权一种(NH4)AZ3型三元金属卤化物单晶纳米片的制备方法及其应用是由杜金红;佟博;任文才;成会明设计研发完成，并于2024-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种(NH4)AZ3型三元金属卤化物单晶纳米片的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明涉及金属卤化物钙钛矿材料领域，具体为一种NH44AZ33型三元金属卤化物单晶纳米片的制备方法及其应用。首先利用“化学气相输运”的方法，以金属Bi、Sb和NH44I、NH44Br为前驱体，单质碘或Br为输运剂，通过控制反应物成分、反应端与生长端温度和温差制备得到层状NH44AZ33型三元卤化物单晶材料，通过机械剥离法或溶液插层剥离法获得NH44AZ33纳米片。该方法工艺简单，所得三元卤化物单晶材料无需引入长链胺类有机配体对其表面进行钝化即可被剥离成单晶纳米片，通过控制剥离条件可获得不同层数的单晶纳米片，其具有厚度依赖的带隙、高的结晶质量和光电性能，可广泛应用于发光二极管、光电探测器等光电器件。

本发明授权一种(NH4)AZ3型三元金属卤化物单晶纳米片的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种NH4AZ3型三元金属卤化物单晶纳米片的制备方法，其特征在于，首先利用“化学气相输运”的方法，以金属Bi或Sb以及NH4I或NH4Br为前驱体、单质碘或溴为输运剂，制备得到层状NH4AZ3三元卤化物单晶材料，然后通过机械剥离法或溶液插层剥离法获得单晶纳米片；该方法通过调控前驱体盐的种类、反应端与生长端温度和温差获得不同的层状NH4AZ3型三元卤化物材料，并控制剥离条件获得不同层数的单晶纳米片； 采用“化学气相输运”的方法制备层状NH4AZ3型三元卤化物单晶材料的具体过程为：首先将金属Bi或Sb、卤化物盐NH4I或NH4Br和单质碘或溴混合后的反应物密封在石英反应器中；然后将石英反应器置于管式炉中，控制石英反应器两端温度，使反应物在高温反应端挥发、分解并发生化学反应，进而在低温生长端沉积并生长出层状NH4AZ3型三元卤化物单晶材料；最后通过真空加热去除单质碘或溴； 化学气相输运法制备层状NH4AZ3型三元卤化物单晶材料的过程中，金属Bi或Sb在反应物中的含量为20wt%~38.6wt%，NH4I、NH4Br在反应物中的含量为40wt%~51.2wt%，输运剂单质碘或溴在反应物中的含量为10.2wt%~40wt%； 化学气相输运法制备层状NH4AZ3型三元卤化物单晶材料的过程中，控制石英反应器高温反应端温度为450℃~750℃、低温生长端温度为200℃~450℃，高温反应端与低温生长端的温度梯度为25~30℃cm，反应时间为72h~168h。

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