华邦电子股份有限公司陈盈宏获国家专利权
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龙图腾网获悉华邦电子股份有限公司申请的专利内存组件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451098B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311242747.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权内存组件及其制造方法是由陈盈宏;王春杰;欧阳自明设计研发完成，并于2023-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本内存组件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种内存组件及其制造方法。内存组件包括：以隔离结构而在半导体衬底中定义出的多个有源区，其中多个有源区沿第一与第二方向阵列排列，且沿第三方向延伸；以及多条字线，在半导体衬底中沿第二方向穿过多个有源区。多个有源区在第二方向上成对排列，同一对有源区以第一距离而彼此紧邻，相邻两对有源区以较大的第二距离而彼此间隔开。各有源区的位于所穿过的字线下方的特征部分具有以第一距离而紧邻同一对中另一有源区的第一侧以及以第二距离而与另一对有源区间隔开的第二侧，且具有自第二侧攀升至第一侧的倾斜上表面。
本发明授权内存组件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种内存组件，其特征在于，包括： 以隔离结构而在半导体衬底中定义出的多个有源区，其中所述多个有源区沿第一方向与第二方向阵列排列，且分别沿交错于所述第一方向与所述第二方向的第三方向延伸；以及 多条字线，形成于所述半导体衬底中，而沿所述第二方向穿过所述多个有源区， 其中所述多个有源区在所述第二方向上成对排列，同一对的所述有源区以第一距离而彼此紧邻，相邻两对的所述有源区以大于所述第一距离的第二距离而彼此间隔开，各有源区的位于所述多条字线中所穿过的至少一者下方的特征部分具有以所述第一距离而紧邻同一对中的另一所述有源区的第一侧以及以所述第二距离而与另一对的所述有源区间隔开的第二侧，且具有自所述第二侧攀升至所述第一侧的倾斜上表面， 其中所述多条字线的穿过所述多个有源区的多个第一区段在深度上小于所述多条字线的穿过所述隔离结构的多个第二区段，且各字线的所述第一区段具有在所述第二方向上倾斜的下表面。
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