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龙图腾网获悉苏州园芯微电子技术有限公司申请的专利集成MEMS芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119430072B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411666082.3，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权集成MEMS芯片及其制造方法是由翁国军设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成MEMS芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：一种集成MEMS芯片及其制造方法，其中，制造方法包括：形成第一基底，包括第一结构层、以及位于第一结构层表面的第一介电膜，第一结构层具有相互独立的第一开口和第二开口，第一介电膜与第一结构层的材料不同；在第一基底上形成MEMS结构层，MEMS结构层内具有朝向第一基底开口的辅助沟槽，辅助沟槽的槽长大于槽深；在MEMS结构层上键合第二基底；在键合第二基底后，自相对第一介电膜的一侧刻蚀第一基底，形成导电通孔，导电通孔和第一开口分别与微气通道连通；经导电通孔和微气通道向第一空腔抽气或进气；在导电通孔内形成第一电互连结构，第一电互连结构与辅助沟槽的槽底连接。该制造方法能够为同一MEMS芯片上的不同传感器分别设定各自的气压。

本发明授权集成MEMS芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成MEMS芯片的制造方法，其特征在于，包括： 形成第一基底，所述第一基底包括第一结构层、以及位于所述第一结构层表面的第一介电膜，所述第一结构层具有相互独立的第一开口和第二开口，所述第一介电膜与所述第一结构层的材料不同； 在所述第一基底上形成MEMS结构层，所述MEMS结构层内具有朝向所述第一基底开口的辅助沟槽，所述辅助沟槽的槽长大于槽深，所述第一介电膜与所述辅助沟槽围合成微气通道； 在所述MEMS结构层上键合第二基底，以密封所述第一开口和所述第二开口，形成相互独立的第一空腔和第二空腔； 在键合所述第二基底后，自相对所述第一介电膜的一侧刻蚀所述第一基底，在所述第一基底内形成独立于所述第一开口和所述第二开口的导电通孔，所述导电通孔和所述第一开口分别与所述微气通道连通； 经所述导电通孔和所述微气通道向所述第一空腔抽气或进气，使所述第一空腔内的气压与所述第二空腔内的气压不同； 在所述导电通孔的孔底与所述辅助沟槽的槽底之间的微气通道内、以及所述导电通孔内形成第一电互连结构，所述第一电互连结构与所述辅助沟槽的槽底连接。

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