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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体器件的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384033B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411514533.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体器件的形成方法是由顾文斌;胡君设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底；执行第一有源区的P阱离子注入；在第一有源区的衬底上形成第一栅极层；在第二有源区的衬底上形成第二栅极层；执行无掩膜N型漏极轻掺杂离子注入；同一光罩下执行第二有源区的N阱离子注入和P型漏极轻掺杂离子注入。在低成本、高性价比平台加工，将N阱离子注入与P型漏极轻掺杂离子注入共用同一光罩；在栅极层刻蚀之后，保留栅极层刻蚀后的光阻层情况下进行无掩模N型漏极轻掺杂离子注入，避免栅极层被N型轻参杂离子注入打穿。节省了形成N阱和N型漏极轻掺杂这两道工艺的光罩。保留两道LDD离子注入工艺下，保证NMOS管的热载流子效应性能，降低了衬底漏电流，通过可靠性测试。

本发明授权半导体器件的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括： 步骤S1、提供衬底，所述衬底上通过浅沟槽隔离定义第一有源区和第二有源区； 步骤S2、执行所述第一有源区的P阱离子注入； 步骤S3、形成栅极层，在所述第一有源区的所述衬底上依次形成第一栅氧化层和第一栅极层；在所述第二有源区的衬底上依次形成第二栅氧化层和第二栅极层； 步骤S4、保留形成所述栅极层步骤中覆盖所述第一栅极层和所述第二栅极层的光阻层；在所述光阻层保护下执行无掩膜N型漏极轻掺杂离子注入，在所述第一有源区形成N型第一轻掺杂区，在所述第二有源区形成N型第二轻掺杂区； 步骤S5、同一光罩下执行所述第二有源区的N阱离子注入和P型漏极轻掺杂离子注入；在所述第二有源区，注入的所述P型漏极轻掺杂离子中和所述N型第二轻掺杂区，并反型最终形成P型轻掺杂区； 步骤S6、执行所述第一有源区的N型离子重掺杂注入，形成NMOS管的源区和漏区； 步骤S7、执行所述第二有源区的P型离子重掺杂注入，形成PMOS管的源区和漏区。

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