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龙图腾网获悉郭文勇申请的专利部分功率控制型储能系统的拓扑结构和调制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119341059B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411480261.8，技术领域涉及：H02J3/32；该发明授权部分功率控制型储能系统的拓扑结构和调制方法是由郭文勇;宋劭博设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本部分功率控制型储能系统的拓扑结构和调制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了部分功率控制型储能系统的拓扑结构和调制方法。改进了现有隔离型DCDC变换器内第二全桥变流器的拓扑结构，并将第二全桥变流器中的开关管死区时间改进为开关管重叠导通时间，在这一时间内，半桥上下开关同时导通，保证在第二全桥变流器开关管交替导通期间始终为储能系统充放电电流提供续流通路；利用储能支路上隔离型DCDC变换器驱动信号整体移相会导致滤波电感纹波电流出现与之相同移相角的特性，通过调节各个储能支路上的隔离型DCDC变换器驱动信号的整体移相角，使得各个储能支路滤波电感的电流峰值或谷值的出现时刻等时间间隔分布在开关周期Ts时段内，实现储能支路间电流波峰、波谷相消，降低直流母线电流纹波。

本发明授权部分功率控制型储能系统的拓扑结构和调制方法在权利要求书中公布了：1.部分功率控制型储能系统的拓扑结构的调制方法，其针对的部分功率控制型储能系统拓扑结构由DCAC变流器和多个储能支路组成，DCAC变流器交流侧与电网相连，DCAC变流器的总直流母线并联多个储能支路；每个储能支路由滤波电感、隔离型DCDC变换器和电池簇构成；滤波电感、隔离型DCDC变换器的输出端、电池簇相互串联后作为一个整体并联在DCAC变流器的总直流母线上，各个隔离型DCDC变换器输入端与DCAC变流器的总直流母线或者多个直流母线中的一个并联；当各个隔离型DCDC变换器输入端与多个直流母线中的一个并联时，各个隔离型DCDC变换器输入端分别均匀地并联在各个直流母线上以均衡各个直流母线的输入输出功率；其中隔离型DCDC变换器的一种两电平、输出电压单极性的拓扑结构为：该拓扑结构由两个全桥变流器通过一个隔离变压器相互连接而成，与隔离变压器原边相连的第一全桥变流器F1由第一半桥H1和第二半桥H2组成，第一开关T1和第二开关T2构成第一半桥H1，第三开关T3和第四开关T4构成第二半桥H2；与隔离变压器副边相连的第二全桥变流器F2由第三半桥H3和第四半桥H4组成，第五开关T5和第六开关T6构成第三半桥H3，第七开关T7和第八开关T8构成第四半桥H4；第一开关T1的源极、第二开关T2漏极相互连接，构成隔离变压器原边的第一交流连接点P1，隔离变压器原边的第一交流连接点P1直接或者串联电容后与隔离变压器原边的一端相连；第三开关T3的源极、第四开关T4漏极相互连接，构成隔离变压器原边的第二交流连接点P2，隔离变压器原边的第二交流连接点P2直接或者串联电容后与隔离变压器原边的另一端相连；第五开关T5的源极、第六开关T6漏极相互连接，构成隔离变压器副边的第三交流连接点S3，隔离变压器副边的第三交流连接点S3直接或者串联电容后与隔离变压器副边的一端相连；第七开关T7的源极、第八开关T8漏极相互连接，构成隔离变压器副边的第四交流连接点S4，隔离变压器副边的第四交流连接点S4直接或者串联电容后与隔离变压器副边的另一端相连；第一开关T1的漏极和第三开关T3的漏极相互连接构成隔离型DCDC变换器的第一输入点I1，第二开关T2的源极和第四开关T4的源极相互连接构成隔离型DCDC变换器的第二输入点I2；第五开关T5的漏极和第七开关T7的漏极相互连接构成隔离型DCDC变换器的第一输出点O1，第六开关T6的源极和第八开关T8的源极相互连接构成隔离型DCDC变换器的第二输出点O2；其中第一开关T1、第二开关T2、第三开关T3、第四开关T4、第五开关T5、第六开关T6、第七开关T7和第八开关T8是带反并联二极管的可控型开关，所述可控型开关包括金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管；适用于该拓扑结构的改进调制方法为：隔离型DCDC变换器每个开关一个周期的角度为2*π,第一半桥H1的第一开关管T1和第二开关管T2互补导通角度π,且插入死区防止直通，第二半桥H2的第三开关管T3和第四开关管T4互补导通角度π,且插入死区防止直通，第三半桥H3的第五开关管T5和第六开关管T6互补导通角度π,且插入重叠导通时间保证储能系统充放电电流的续流通路，第四半桥H4的第七开关管T7和第八开关管T8互补导通角度π,且插入重叠导通时间保证储能系统充放电电流的续流通路；第一全桥变流器F1采用移相控制的方式在隔离变压器的原边产生双极性交流方波电压Ut，第二全桥变流器F2将隔离变压器副边的双极性交流方波电压整流成单极性交流方波电压Uo；第一开关管T1和第三开关管T3之间的移相角为θ＝Y*π,其中θ为移相角，Y为移相比，移相比为0到1之间的值；设置驱动信号的参考0点，第一开关管T1的下降沿相对于驱动信号的参考0点超前θ2，第三开关管T3的下降沿相对于驱动信号的参考0点滞后θ2，第五开关管T5和第八开关管T8的下降沿相对于驱动信号的参考0点超前π2，第六开关管T6和第七开关管T7的下降沿相对于驱动信号的参考0点滞后π2；隔离型DCDC变换器的一种两电平、输出电压双极性的拓扑结构为：该拓扑结构由两个全桥变流器通过一个隔离变压器相互连接而成，与隔离变压器原边相连的第一全桥变流器F1由第一半桥H1和第二半桥H2组成，第一开关T1和第二开关T2构成第一半桥H1，第三开关T3和第四开关T4构成第二半桥H2；与隔离变压器副边相连的第二全桥变流器F2由第三半桥H3和第四半桥H4组成，第五开关T5、第六开关T6、第七开关T7和第八开关T8构成第三半桥H3，第九开关T9、第十开关T10、第十一开关T11和第十二开关T12构成第四半桥H4；第一开关T1的源极、第二开关T2漏极相互连接，构成隔离变压器原边的第一交流连接点P1，隔离变压器原边的第一交流连接点P1直接或者串联电容后与隔离变压器原边的一端相连；第三开关T3的源极、第四开关T4漏极相互连接，构成隔离变压器原边的第二交流连接点P2，隔离变压器原边的第二交流连接点P2直接或者串联电容后与隔离变压器原边的另一端相连；第五开关T5的漏极与第六开关T6的漏极相连，第七开关T7的源极与第八开关T8的源极相连，第五开关T5的源极与第七开关T7的漏极相互连接，构成隔离变压器副边的第三交流连接点S3，隔离变压器副边的第三交流连接点S3直接或者串联电容后与隔离变压器副边的一端相连；第九开关T9的漏极与第十开关T10的漏极相连，第十一开关T11的源极与第十二开关T12的源极相连，第九开关T9的源极与第十一开关T11的漏极相互连接，构成隔离变压器副边的第四交流连接点S4，隔离变压器副边的第四交流连接点S4直接或者串联电容后与隔离变压器副边的另一端相连；第一开关T1的漏极和第三开关T3的漏极相互连接构成隔离型DCDC变换器的第一输入点I1，第二开关T2的源极和第四开关T4的源极相互连接构成隔离型DCDC变换器的第二输入点I2；第六开关T6的源极和第十开关T10的源极相互连接构成隔离型DCDC变换器的第一输出点O1，第八开关T8的漏极和第十二开关T12的漏极相互连接构成隔离型DCDC变换器的第二输出点O2；其中第一开关T1、第二开关T2、第三开关T3、第四开关T4、第五开关T5、第六开关T6、第七开关T7、第八开关T8、第九开关T9、第十开关T10、第十一开关T11和第十二开关T12是带反并联二极管的可控型开关，所述可控型开关包括金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管，其中第五开关T5与第六开关T6反方向串联可交换位置，第七开关T7与第八开关T8反方向串联可交换位置，第九开关T9与第十开关T10反方向串联可交换位置，第十一开关T11与第十二开关T12反方向串联可交换位置；适用于该拓扑结构的改进调制方法为：隔离型DCDC变换器每个开关一个周期的角度为2*π,第一半桥H1的第一开关管T1和第二开关管T2互补导通角度π,且插入死区防止直通，第二半桥H2的第三开关管T3和第四开关管T4互补导通角度π,且插入死区防止直通，第三半桥H3的第五开关管T5与第六开关管T6同时开关，第七开关管T7与第八开关管T8同时开关，第五开关管T5、第六开关管T6与第七开关管T7、第八开关管T8互补导通角度π,且插入重叠导通时间保证储能系统充放电电流的续流通路，第四半桥H4的第九开关管T9与第十开关T10同时开关，第十一开关管T11与第十二开关管T12同时开关，第九开关管T9、第十开关管T10与第十一开关管T11、第十二开关管T12互补导通角度π,且插入重叠导通时间保证储能系统充放电电流的续流通路；第一全桥变流器F1采用移相控制的方式在隔离变压器的原边产生双极性交流方波电压Ut，第二全桥变流器F2将隔离变压器副边的双极性交流方波电压整流成单极性交流方波电压Uo；第一开关管T1和第三开关管T3之间的移相角为θ＝Y*π,其中θ为移相角，Y为移相比，移相比为-1到1之间的值；设置驱动信号的参考0点，第一开关管T1的下降沿相对于驱动信号的参考0点超前θ2，第三开关管T3的下降沿相对于驱动信号的参考0点滞后θ2，第五开关管T5、第六开关管T6和第十一开关管T11、第十二开关管T12的下降沿相对于驱动信号的参考0点超前π2，第七开关管T7、第八开关管T8和第九开关管T9、第十开关管T10的下降沿相对于驱动信号的参考0点滞后π2。

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