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龙图腾网获悉重庆芯联微电子有限公司申请的专利一种基于光掩模制作误差效应的光罩验证方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119270576B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411690346.9，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权一种基于光掩模制作误差效应的光罩验证方法是由张聪;敖振宇;陈咏翔;曾鼎程;范富杰;胡展源设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于光掩模制作误差效应的光罩验证方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于光掩模制作误差效应的光罩验证方法，包括以下步骤：S1：基于提供的设计图案，筛选设计尺寸小于最小设计尺寸加第一预定值区域为Target检查区；S2：基于光罩检查标准，对设计图案OPC修正得到修正图案；S3：在Target检查区基础上，基于修正图案，筛选在光罩制造尺寸规则极限及以上至第二预定值区域为POSTOPC检查区；S4：对POSTOPC检查区仿真模拟并MEEF分析，选择超出MEEF预定值区域为MEEF检查区；S5：对MEEF检查区确定新光罩检查标准。MEEF引入光罩验证避免因光罩误差产生桥接；在最小设计尺寸与光罩制造尺寸极限附近仿真筛选，缩小仿真范围，找到真实的风险热点。

本发明授权一种基于光掩模制作误差效应的光罩验证方法在权利要求书中公布了：1.一种基于光掩模制作误差效应的光罩验证方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：提供设计图案，基于所述设计图案，筛选设计尺寸小于最小设计尺寸加第一预定值的区域作为Target检查区； S2：基于光罩检查标准，对所述设计图案进行OPC修正得到修正图案；所述光罩检查标准为所述OPC修正使用的桥接验证标准，所述桥接验证标准依据所述最小设计尺寸选取； S3：在所述Target检查区的基础上，基于所述修正图案，筛选尺寸在光罩制造尺寸规则极限及以上至第二预定值范围内的区域作为POSTOPC检查区； S4：对所述POSTOPC检查区进行仿真模拟得到模拟图形并进行MEEF分析，选择MEEF值超出MEEF预定值的区域作为MEEF检查区； S5：对筛选出的所述MEEF检查区确定新光罩检查标准，所述新光罩检查标准定义为：新光罩检查标准=最小设计尺寸-最小设计尺寸–光罩检查标准*50%。

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