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龙图腾网获悉新铂科技(东莞)有限公司申请的专利一种高结合力柔性导电膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118824609B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411108920.5，技术领域涉及：H01B5/14；该发明授权一种高结合力柔性导电膜及其制备方法是由田修波设计研发完成，并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高结合力柔性导电膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了柔性电子领域的一种高结合力柔性导电膜及其制备方法，其中导电膜包括从靠近基底一端开始依次设置的氧化层、过渡层和导电层，过渡层覆盖氧化层后相融合，并向导电层过渡，过渡层由非晶硅层和氮化硅层组成，非晶硅层靠近氧化层一端。在具有柔性的聚合物基座表面，由内至外依次增设增强基底亲水性和相容性的氧化层、提高基底与铜膜结合力的过渡层以及用于增强基底导电性的导电层，形成具有高结合力的柔性导电膜。通过对应的制备方法制备由非晶硅层和氮化硅层组成的过渡层，在与聚合物基底和导电层的结合界面分别表现出极高的结合强度，能够解决单一过渡层无法同时结合基底和导电膜的问题，从而增强柔性导电膜的结合力。

本发明授权一种高结合力柔性导电膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高结合力柔性导电膜，包括用于包覆基底表面的膜体，其特征在于，所述膜体包括从靠近基底一端开始依次设置的氧化层、过渡层和导电层，所述过渡层覆盖氧化层后相融合，并向导电层过渡，所述过渡层由非晶硅层和氮化硅层组成，所述非晶硅层靠近氧化层一端，膜体还包括具有导电功能的增厚层，所述增厚层沉积于导电层外表面； 高结合力柔性导电膜的制备方法包括以下步骤： 步骤S1，制备氧化层：基底经过酒精或去离子水超声清洗，清洗后置于真空状态下并通入氧气和惰性气体，基底经过气体等离子体氧化，表面形成碳氢化合物和单质碳的氧化层； 步骤S2，沉积非晶硅层：在惰性气体环境下，在真空腔内通过高功率脉冲磁控管溅射源在基底表面溅射并沉积形成覆盖氧化层的非晶硅层，非晶硅层与基底之间形成包括Si-C键和Si-O键的界面化学键合； 步骤S3，沉积氮化硅层：在惰性气体环境下，真空腔内再充入氮气，离化出氮或碳离子，通过高功率脉冲磁控管溅射源在非晶硅层表面溅射并沉积形成与非晶硅层融合的氮化硅层； 步骤S4，沉积导电层：在惰性气体环境下，真空腔内停止充入氮气，通过高功率脉冲磁控管溅射源在氮化硅层表面溅射并沉积形成导电层； 步骤S5，沉积增厚层：通过水电镀或焊接的方式，在导电层表面沉积形成增厚层，该增厚层与导电层通过金属键相结合，且具有导电功能。

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