天合光能股份有限公司刘成法获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118738157B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410837014.2，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权太阳能电池和光伏组件是由刘成法;吕东芸设计研发完成，并于2024-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池和光伏组件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种太阳能电池和光伏组件，该太阳能电池，包括：半导体区；多根副栅，多根副栅在第一方向上间隔排列在半导体区的至少一侧，每根副栅包括堆叠的第一层和第二层，第二层的宽度大于第一层的宽度，第二层具有在第一方向上相对的第一阻挡部和第二阻挡部，其中，第一阻挡部和第二阻挡部朝向半导体区延伸，第一阻挡部和第二阻挡部在第一方向上突出于第一层的侧面。本申请的第一阻挡部和第二阻挡部朝向半导体区延伸，且均突出于第一层的侧面，在胶膜朝向第一层的侧面流动的过程中，第一阻挡部和第二阻挡部对胶膜具有阻挡作用，从而阻止或减少胶膜与第一层的侧面的接触，进而避免胶膜腐蚀第一层。
本发明授权太阳能电池和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 半导体区； 多根副栅，所述多根副栅在第一方向上间隔排列在所述半导体区的至少一侧，每根所述副栅包括堆叠的第一层和第二层，所述第二层的宽度大于所述第一层的宽度，所述第二层具有在所述第一方向上相对的第一阻挡部和第二阻挡部，其中，所述第一阻挡部和所述第二阻挡部朝向所述半导体区延伸，所述第一阻挡部和所述第二阻挡部在所述第一方向上突出于所述第一层的侧面，以在所述第一阻挡部和所述第二阻挡部的下方分别形成第一空间和第二空间，所述第一空间和所述第二空间暴露出所述第一层的侧面，所述第一阻挡部与相邻的第一层侧面之间在所述第一方向上间隔的最大距离大于0μm，且等于或小于5μm，和或所述第二阻挡部与相邻的第一层侧面之间在所述第一方向上间隔的最大的距离大于0μm，且等于或小于5μm，形成所述第二层的方法包括丝网印刷烧结。
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