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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司申请的专利显示基板和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118370027B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280004344.2，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权显示基板和显示装置是由吴桐;王红丽;李盼;韩影;崔颖;袁粲;张星;张如芹;龙春平设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示基板和显示装置在说明书摘要公布了：提供一种显示基板和显示装置。显示基板包括驱动晶体管和存储电容，存储电容包括第一极板和第二极板，第二极板与驱动晶体管的沟道同层设置，第二极板比第一极板更靠近衬底基板，第二极板在衬底基板上的正投影与像素开口在衬底基板上的正投影交叠，显示基板满足如下关系：W*L+S2*M1M2的取值范围为[0.014,0.133]，且S2W*L的取值范围为[2.82,28.85]，其中，W为驱动晶体管的沟道的宽度，L为驱动晶体管的沟道的长度，S2为第二极板和第一极板的正对面积，M1为显示基板的像素开口的个数，M2为显示基板的面积，以提高存储电容的极板的正对面积，提高电容量，提高电容的保持能力，并且利于提升存储电容与像素开口的面积之比，提升存储电容的面积占比，提升显示品质。

本发明授权显示基板和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板，包括：衬底基板和设置在所述衬底基板上的多个子像素； 所述子像素包括： 像素电路，包括驱动晶体管和存储电容，所述存储电容包括第一极板和第二极板，所述存储电容的第一极板与所述驱动晶体管的栅极相连；以及 发光元件，与所述像素电路电连接，所述像素电路被配置为驱动所述发光元件， 其中，所述子像素包括像素开口，所述像素开口被配置为限定所述子像素的发光区， 所述存储电容在所述衬底基板上的正投影与所述像素开口在所述衬底基板上的正投影交叠，所述驱动晶体管的沟道在所述衬底基板上的正投影与所述像素开口在所述衬底基板上的正投影交叠， 所述显示基板满足如下关系：WL+S2M1M2的取值范围为[0.014,0.133]，且S2WL的取值范围为[2.82,28.85]， 其中，W为所述驱动晶体管的沟道的宽度，L为所述驱动晶体管的沟道的长度，S2为所述第二极板和所述第一极板的正对面积，M1为所述显示基板的像素开口的个数，M2为所述显示基板的面积。

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