内蒙古科技大学包金小获国家专利权
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龙图腾网获悉内蒙古科技大学申请的专利一种黑色氮化硅陶瓷及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118146009B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410263711.1，技术领域涉及：C04B35/596；该发明授权一种黑色氮化硅陶瓷及其制备方法是由包金小;任喆;王青春;阮飞;马雨威;李红霞;尚炜翔;刘国奇;海文智设计研发完成，并于2024-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种黑色氮化硅陶瓷及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于氮化物陶瓷技术领域。本发明提供了一种黑色氮化硅陶瓷及其制备方法。制备方法包含如下步骤：将氮化硅、氧化铌、分散剂和水混合，得到浆料；将浆料顺次进行砂磨、干燥和过筛，得到氮化硅纳米粉体；将氮化硅纳米粉体顺次进行干压预成型和冷等静压成型，得到陶瓷胚体；将陶瓷胚体进行热压烧结，得到黑色氮化硅陶瓷。本发明制得的黑色氮化硅陶瓷，丰富了氮化硅陶瓷的颜色，结构致密，为六方晶体，硬度大于17.9GPa，韧性大于11.0MPa·m1212，力学性能优异，强度高于1830MPa；与目前手机背板常用的氧化锆陶瓷相比，黑色氮化硅陶瓷的密度较小，质地较轻，传输信号更为流畅；并且，该制备方法简单，成本低。
本发明授权一种黑色氮化硅陶瓷及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种黑色氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包含如下步骤： 1将氮化硅、氧化铌、分散剂和水混合，得到浆料； 2将浆料顺次进行砂磨、干燥和过筛，得到氮化硅纳米粉体； 3将氮化硅纳米粉体顺次进行干压预成型和冷等静压成型，得到陶瓷胚体； 4将陶瓷胚体进行热压烧结，得到黑色氮化硅陶瓷； 步骤4所述热压烧结的温度为1600～1800℃，热压烧结的压力为5～15MPa，热压烧结的时间为1～3h； 步骤4所述热压烧结在真空状态下进行，真空度为6.5×10-4～6.7×10-4Pa。
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