苏州能讯高能半导体有限公司孔苏苏获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118039668B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211414747.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件是由孔苏苏;张晖设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，所述外延结构包括衬底、缓冲结构和插入结构；所述缓冲结构包括至少两层缓冲层，所述插入结构包括至少一层插入层，所述缓冲层与所述插入层交替叠层设置，且任一所述插入层位于相邻两层所述缓冲层之间；至少一层所述插入层包括多个岛状结构，位于所述岛状结构远离所述衬底一侧的所述缓冲层覆盖所述岛状结构。采用上述技术方案，通过设置插入结构能够控制外延层生长过程中产生的压应力，如此可以降低生长过程中衬底的翘曲，提高缓冲层厚度的均匀性，进而提升外延结构的质量以及半导体器件的质量。
本发明授权一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的外延结构，其特征在于，包括衬底、缓冲结构和插入结构； 所述缓冲结构包括至少两层缓冲层，所述插入结构包括至少一层插入层，所述缓冲层与所述插入层交替叠层设置，且任一所述插入层位于相邻两层所述缓冲层之间； 至少一层所述插入层包括多个岛状结构，位于所述岛状结构远离所述衬底一侧的所述缓冲层覆盖所述岛状结构； 其中，所述缓冲层的材料为氮化物，所述岛状结构由所述插入层的材料在高于800℃的环境下分解形成；所述插入层为包括Al原子、Ga原子中至少一种以及In原子的氮化物。
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