京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司万婷获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司申请的专利阵列基板及其制造方法、液晶面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117957489B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280002972.7，技术领域涉及：G02F1/1362；该发明授权阵列基板及其制造方法、液晶面板是由万婷;杜瑞芳;詹成勇;隋娜;李延龙设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及其制造方法、液晶面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阵列基板及其制造方法、液晶面板，属于显示技术领域。该阵列基板包括：衬底，以及位于衬底一侧的像素电极、薄膜晶体管、第一钝化层和第二钝化层。由于在像素电极背离衬底一侧设置有第二钝化层。因此，在将这种阵列基板与盖板进行对盒处理以形成液晶面板的过程中，即使阵列基板与盖板之间引入了异物，通过在像素电极背离衬底一侧设置的第二钝化层的绝缘，可以保证异物不会将阵列基板内的像素电极与盖板内设置的公共电极层导通，进而可以避免后续制备得到的液晶面板内出正常显示或笔迹无法被擦除的不良现象，使得液晶面板显示效果较好。
本发明授权阵列基板及其制造方法、液晶面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具有显示区，以及位于所述显示区外围的非显示区，所述阵列基板包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的像素电极和薄膜晶体管，所述像素电极和所述薄膜晶体管均位于所述显示区内，所述像素电极位于所述薄膜晶体管背离所述衬底的一侧； 位于所述像素电极与所述薄膜晶体管之间的第一钝化层，所述第一钝化层具有多个第一过孔，所述多个第一过孔中的至少部分位于所述显示区内，所述像素电极通过位于所述显示区内的第一过孔与所述薄膜晶体管电连接； 以及，位于所述像素电极背离所述衬底一侧的第二钝化层，所述第二钝化层具有多个第二过孔，所述多个第二过孔中的至少部分位于所述显示区内，位于所述显示区内的第二过孔与位于所述显示区内的第一过孔一一对应，且位于所述显示区内的第二过孔在所述衬底上的正投影与对应的第一过孔在所述衬底上的正投影存在交叠区域。
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