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龙图腾网获悉江苏鑫华半导体科技股份有限公司申请的专利一种硅料清洗装置及使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117900190B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410140526.3，技术领域涉及：B08B3/10；该发明授权一种硅料清洗装置及使用方法是由徐玲锋;孙彬;闫家强;陈元龙;徐志明;吴锋设计研发完成，并于2024-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅料清洗装置及使用方法在说明书摘要公布了：本发明涉及多晶硅生产技术领域，具体涉及一种硅料清洗装置及使用方法，包括筒体、CDI模块和环流管，CDI模块设于筒体的容纳空间内，使容纳空间形成两端的浓盐水室和中间的淡盐水室，硅料设于清洗区内，环流管设于筒体的两侧，一端与清洗区连通，另一端与阴阳离子树脂混合区连通，用于将清洗区的清洗水快速引入阴阳离子树脂混合区，CDI模块和环流管二者结合，可使硅料粘附的离子快速通过阴离子交换膜和阳离子交换膜，在浓盐水室中富集，始终保持清洗区中的水处于低离子浓度状态，环流管带动清洗区和阴阳离子树脂混合区的清洗水循环，不用连续通水，降低超纯水的用量，降低了硅料生产成本，同时减少酸性废水的产出，降低了废水处理成本。

本发明授权一种硅料清洗装置及使用方法在权利要求书中公布了：1.一种硅料清洗装置，其特征在于，包括： 筒体，所述筒体内设有容纳空间； CDI模块，所述CDI模块设于所述容纳空间内，包括竖直间隔设置的阴离子交换膜、阳离子交换膜和设于两端的正极、负极，所述正极和所述负极通电后，使所述容纳空间形成两端的浓盐水室和中间的淡盐水室，所述淡盐水室底部设有阴阳离子树脂混合区，顶部为清洗区，硅料设于所述清洗区内； 所述筒体内靠近所述CDI模块的底部设有隔板，所述隔板中部设有多孔区，所述多孔区与所述阴阳离子树脂混合区相对应； 所述筒体底部设有进气管，用于通入高纯惰性气体，充满气时密度较小且体积膨胀，迫使所述清洗区中清洗水向上升；所述高纯惰性气体通入后产生上升气泡，且气泡在上升过程中逐渐变大，碰到硅料后会炸开，将硅料向外推动，同时形成真空区域，上层硅料自然落下弥补空位，促使硅料流动，使水与硅料充分接触； 环流管，所述环流管设于所述筒体外部的两侧面上，所述环流管一端与所述清洗区的上层连通，另一端与所述阴阳离子树脂混合区的下层连通，在所述高纯惰性气体的作用下，所述环流管中清洗水向下做有规则的循环流动，用于将所述清洗区的清洗水通过所述环流管快速引入所述阴阳离子树脂混合区，形成所述清洗区和所述阴阳离子树脂混合区之间的清洗水循环流动，进而加快所述清洗区超纯水更新的频率。

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