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龙图腾网获悉商丘师范学院申请的专利缺陷态半导体/ZnCuInSxSe1-x复合催化剂的制备及在光催化中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117861704B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311765022.2，技术领域涉及：B01J27/24；该发明授权缺陷态半导体/ZnCuInSxSe1-x复合催化剂的制备及在光催化中的应用是由李盼;张心雨;薛郑州;刘应敏;周广妍;杨亚东;于丽敏;王立晶设计研发完成，并于2023-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本缺陷态半导体/ZnCuInSxSe1-x复合催化剂的制备及在光催化中的应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种缺陷态半导体ZnCuInSxxSe1‑x1‑x复合催化剂的制备及在光催化中的应用，以缺陷态半导体为载体，利用半导体表面的缺陷直接锚定ZnCuInSxxSe1‑x1‑x量子点制备复合催化剂，其中0x1。将缺陷态半导体和ZnCuInSxxSe1‑x1‑x量子点分别超声均匀分散于水中，然后将两者混合搅拌至均匀，离心洗涤所得的沉淀，干燥后得到复合催化剂。本发明的制备方法简单可行，操作方便，并且ZCISSe可以均匀地负载在缺陷态半导体表面上，且与半导体之间具有较紧密的接触。制得的缺陷态半导体ZCISSe复合催化剂可用于光催化还原二氧化碳、光解水、光降解等领域，优先选择光催化还原二氧化碳反应。

本发明授权缺陷态半导体/ZnCuInSxSe1-x复合催化剂的制备及在光催化中的应用在权利要求书中公布了：1.一种缺陷态半导体ZnCuInSxSe1-x复合催化剂的制备方法，其特征在于：以缺陷态半导体为载体，利用半导体表面的缺陷直接锚定ZnCuInSxSe1-x量子点制备复合催化剂，其中0x1； 所述的缺陷态半导体ZnCuInSxSe1-x复合催化剂的制备方法，包括以下步骤：常温下，将缺陷态半导体超声分散于水中，然后加入ZnCuInSxSe1-x量子点，超声搅拌至混合均匀，离心洗涤所得的沉淀，干燥后得到复合催化剂； 所述缺陷态半导体采用缺陷态C3N4纳米片； 缺陷态C3N4纳米片的制备方法如下，将0.005-0.015gNaOH溶于40mLH2O中，然后加入10g尿素搅拌至溶解，放入80℃烘箱干燥过夜，烘干后用研钵研碎，所得的样品放入坩埚中在550℃条件下进行第一次热处理1-4h，冷却研磨后放入瓷舟中在500℃条件下进行第二次热处理1-4h，冷却研磨，即可得到缺陷态C3N4纳米片； 采用高温热注入法合成ZnCuInSxSe1-x量子点，首先将0.0128gS粉和0.0479gSe粉溶于二苯基膦形成阴离子前驱体溶液，将0.2mmol醋酸铟，0.14mmolCuI和0.08mmol醋酸锌溶于油胺溶液中得到混合液A，在170℃条件下将所得混合液A注入阴离子前驱体溶液，然后在220℃条件下反应5min，反应结束后将所得混合溶液分散在正己烷中再转移至离心管，加入无水乙醇离心纯化，最后分散到CH2Cl2溶液中。

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