北京林业大学李敏获国家专利权
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龙图腾网获悉北京林业大学申请的专利一种Sillén-Aurivillius结构铋系半导体材料的制备及在光催化CO2环加成反应中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117816205B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311646999.2，技术领域涉及：B01J27/06；该发明授权一种Sillén-Aurivillius结构铋系半导体材料的制备及在光催化CO2环加成反应中的应用是由李敏;李知恒;王强设计研发完成，并于2023-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Sillén-Aurivillius结构铋系半导体材料的制备及在光催化CO2环加成反应中的应用在说明书摘要公布了：本发明属于光催化CO22环加成反应技术领域，具体涉及一种空位缺陷层状铋系半导体材料制备方法与光催化CO22环加成反应的应用。该材料在一种具有Sillén‑Aurivillius结构的铋系半导体材料基础上，通过对材料进行空位调控构建出缺陷位点，随着空位缺陷的产生暴露出的低价态金属离子可以作为Lewis酸位点吸附并活化环氧化物，同时该缺陷位点可以促进光生载流子的分离，从而增强表面反应动力学，有效提高材料的光催化活性，最终促进光催化CO22环加成反应性能。
本发明授权一种Sillén-Aurivillius结构铋系半导体材料的制备及在光催化CO2环加成反应中的应用在权利要求书中公布了：1.一种层状铋系半导体材料Bi4NbO8Cl在光催化CO2与环氧化合物环加成反应中的应用，其特征在于，在Sillén-Aurivillius结构铋系半导体材料的基础上，利用还原气氛制造出的氧空位和低价态的金属离子促进光生载流子分离和环氧化物吸附与活化，从而提高光催化CO2环加成反应性能；所述层状铋系半导体材料Bi4NbO8Cl的制备方法具体包括以下步骤： S1、将铋源、卤素源分别加入极性溶剂中，充分溶解、混合后于室温下反应完全，后处理，得卤氧铋化合物；所述卤素源选自氯化钠和氯化钾中的一种或两种； S2、采用熔盐法，将步骤S1所得卤氧铋化合物和其它熔质与助熔剂以一定比例充分混合，700~850oC高温煅烧反应完全，后处理，得到Sillén-Aurivillius结构的铋系半导体材料；所述其它熔质为氧化铋和氧化铌； S3、将步骤S2所得Sillén-Aurivillius结构的铋系半导体材料在还原气氛下煅烧，550oC反应完全，后处理，即得。
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