华为技术有限公司陈志锋获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利标准单元、集成电路、标准单元库及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117727751B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211147967.3，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权标准单元、集成电路、标准单元库及电子设备是由陈志锋;陈赞锋;詹瞻;张孝;廖平设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本标准单元、集成电路、标准单元库及电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种标准单元、集成电路、标准单元库及电子设备，涉及半导体技术领域，用于优化标准单元的结构，以实现不同类型的标准单元可以随意拼接。标准单元包括：互为N型有源区和P型有源区的第一有源区和第二有源区；第一栅条，第一栅条沿第一方向延伸、且位于第一有源区和第二有源区远离衬底一侧；两个第二栅条，第一栅条位于两个第二栅条之间；第二有源区的两端位于两个第二栅条靠近衬底一侧；两个间隔区和两个第一沟槽隔离区；第一有源区位于两个间隔区之间，第二有源区位于两个第一沟槽隔离区之间，间隔区的宽度和第一沟槽隔离区的宽度等于第一栅条与第二栅条的排布间距，标准单元每侧向边缘栅外扩散1个接触多晶硅间距CPP。
本发明授权标准单元、集成电路、标准单元库及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种标准单元，其特征在于，包括： 第一有源区和第二有源区，沿第一方向并排设置在衬底一侧；所述第一有源区和所述第二有源区互为N型有源区和P型有源区； 至少一个第一栅条，所述第一栅条沿所述第一方向延伸、且位于所述第一有源区和所述第二有源区远离所述衬底一侧； 两个第二栅条，所述至少一个第一栅条位于所述两个第二栅条之间，所述两个第二栅条和所述至少一个第一栅条沿第二方向按照等间距排布；所述第一方向与所述第二方向相交、且均平行于所述衬底；沿所述第二方向，所述第二有源区的两端位于所述两个第二栅条靠近所述衬底的一侧； 两个间隔区和两个第一沟槽隔离区；沿所述第二方向，所述第一有源区位于所述两个间隔区之间，所述第二有源区位于所述两个第一沟槽隔离区之间，所述间隔区的宽度和所述第一沟槽隔离区的宽度等于所述间距。
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