长春理工大学范杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长春理工大学申请的专利一种基于全息曝光系统的GaAs/GaN基二维孔型光子晶体材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117631475B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311701474.4，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种基于全息曝光系统的GaAs/GaN基二维孔型光子晶体材料及其制备方法和应用是由范杰;侯慧龙;邹永刚;王琦琦;付曦瑶;石琳琳;徐英添;王海珠;马晓辉设计研发完成，并于2023-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于全息曝光系统的GaAs/GaN基二维孔型光子晶体材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体光电子技术领域，更具体地说，它涉及一种基于全息曝光系统的GaAsGaN基二维孔型光子晶体材料及其制备方法和应用。所述材料采用全息曝光系统双曝光方法在光刻胶上制备光子晶体网格图案，采用干法蚀刻复合掩模进行光子晶体网格图案转移，基于硬掩模图案进行干法刻蚀获得的二维孔型光子晶体材料。解决了全息曝光系统得到的光刻胶图形厚度不一以及无法深刻蚀等一系列问题，大大降低了制备难度与制备成本。
本发明授权一种基于全息曝光系统的GaAs/GaN基二维孔型光子晶体材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种基于全息曝光系统的GaAsGaN基二维孔型光子晶体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1在GaAs或GaN基片表面蒸镀保护层，再通过磁控溅射方法在保护层表面溅射蒸镀金属Ti薄膜层； 2进行旋涂光刻胶后，基于全息曝光系统进行第一次曝光，旋转所述GaAs或GaN基片的角度，基于全息曝光系统对其进行第二次曝光； 3不同区域的曝光时间不同，采用经过按比例稀释的显影液进行显影，通过严格控制显影时间，在光刻胶上形成周期性网格图案； 4对经所述步骤1-3处理后的GaAs或GaN基片进行干法刻蚀，在所述GaAs或GaN基片表面形成具有光子晶体周期性网格图案的金属Ti掩模层； 5对经所述步骤1-4处理后的GaAs或GaN基片进行去胶处理去除表面残留的光刻胶，对所述GaAs或GaN基片表面的保护层进行干法刻蚀，在所述GaAs或GaN基片表面形成具有光子晶体周期性网格图案的复合掩模层； 6对经所述步骤1-5处理后的GaAs或GaN基片进行干法刻蚀，得到二维孔型光子晶体材料。
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