山东理工大学焦万丽获国家专利权
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龙图腾网获悉山东理工大学申请的专利一种复相CsBr/Cs3Bi2Br3I6阵列薄膜的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117551971B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311547664.5，技术领域涉及：C23C14/24；该发明授权一种复相CsBr/Cs3Bi2Br3I6阵列薄膜的制备方法及其应用是由焦万丽;张鸿铭;张磊;赵振设计研发完成，并于2023-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种复相CsBr/Cs3Bi2Br3I6阵列薄膜的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种复相CsBrCs33Bi22Br33I66阵列薄膜的制备方法及其应用，涉及半导体技术领域。本发明具体过程如下：以溴化铯简单气相蒸镀法在叉指电极表面沉积CsBr微球，以碘化铋为反应原料，以N，N‑二甲基甲酰胺为溶剂，通过多次喷涂及热处理在CsBr微球上原位反应生长Cs33Bi22Br33I66阵列薄膜，该薄膜均匀多孔，Cs33Bi22Br33I66片状纳米晶垂直生长于CsBr微球表面和间隙中，CsBr微球直径为1‑3微米，Cs33Bi22Br33I66纳米片的厚度为50‑100纳米，与基底材料结合牢固，所制备的复相CsBrCs33Bi22Br33I66阵列薄膜对硫化氢气体表现出室温敏感性能。本发明与现有技术相比优点在于：制备工艺设计合理、大面积成膜均匀度高、可操作性强，室温下对H22S气体灵敏度高，长期稳定性好。
本发明授权一种复相CsBr/Cs3Bi2Br3I6阵列薄膜的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种复相CsBrCs3Bi2Br3I6阵列薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： S1：以溴化铯简单气相蒸镀法在叉指电极表面沉积CsBr微球层； S2：以碘化铋为反应原料，以N，N-二甲基甲酰胺为溶剂配制碘化铋溶液，通过多次喷涂及热处理在CsBr微球上原位反应生长Cs3Bi2Br3I6阵列薄膜； S3：Cs3Bi2Br3I6片状纳米晶垂直生长于CsBr微球表面和间隙中，CsBr微球直径为1-3微米，Cs3Bi2Br3I6纳米片的厚度为50-100纳米，与基底材料结合牢固。
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