中国科学院过程工程研究所向文超获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院过程工程研究所申请的专利一种用于稀土离子吸附的印迹介孔材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117531490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311589793.0，技术领域涉及：B01J20/26；该发明授权一种用于稀土离子吸附的印迹介孔材料及其制备方法是由向文超;李文静;杨超设计研发完成，并于2023-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于稀土离子吸附的印迹介孔材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于稀土离子吸附的印迹介孔材料及其制备方法。所述方法包括以下步骤：1将预处理后的生物质废料经过水解处理，得到手性纳米晶；2将含有步骤1中所述手性纳米晶的溶液、被功能单体修饰的硅烷偶联剂、硅源以及印迹离子源进行反应，得到前驱体材料；而后将所述前驱体材料依次进行蒸发干燥和脱双模板处理，得到所述离子印迹介孔材料。本发明制备得到高效的独立式离子印迹介孔薄膜，在满足高吸附容量和高选择性使用需求的同时，实现了对生物质废弃资源的有效利用，并有利于回收矿产废渣尾液中低浓度的稀土离子。
本发明授权一种用于稀土离子吸附的印迹介孔材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于稀土离子吸附的离子印迹手性介孔材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 1将预处理后的生物质废料经过水解处理，得到手性纳米晶； 2将含有步骤1中所述手性纳米晶的溶液、被功能单体修饰的硅烷偶联剂、硅源以及印迹离子源进行反应，得到前驱体材料；而后将所述前驱体材料依次进行蒸发干燥和脱双模板处理，得到所述离子印迹手性介孔材料； 步骤1中所述生物质废料包括含有甲壳素的生物质废料，所述预处理过程还依次包括漂白和脱乙酰处理； 步骤2中所述被功能单体修饰的硅烷偶联剂与所述硅源的摩尔比为0.6-1.0:9.0-9.4，所述功能单体包括乙二胺四乙酸、4-乙烯基吡啶、对氨基苯甲酸或甲基丙烯酸二甲氨乙酯中的任意一种或至少两种的组合，所述印迹离子源包括La3+、Ce3+、Pr3+、Nd3+、Sm3+或Eu3+稀土离子中的任意一种或至少两种的组合，所述印迹离子源的质量为30-50mg； 所述离子印迹手性介孔材料的所有离子印迹位点均位于表面。
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