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龙图腾网获悉江苏高光半导体材料有限公司申请的专利一种支撑掩膜版及掩膜装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117488243B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311365961.8，技术领域涉及：C23C14/04；该发明授权一种支撑掩膜版及掩膜装置是由王广成;甘帅燕设计研发完成，并于2023-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种支撑掩膜版及掩膜装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种支撑掩膜版及掩膜装置，涉及半导体显示技术领域。其中的支撑掩膜版包括金属基体，金属基体配置有多个第一支撑条和多个第二支撑条，第一支撑条与第二支撑条垂直相交形成网面，网面内具有至少一个开口；第一支撑条和或第二支撑条上配置有遮挡部，遮挡部朝向与之对应的开口的内侧延伸；还包括附加层，第一支撑条和第二支撑条的围绕开口的部分形成实体区，附加层设置在实体区，并且附加层和与其相邻的开口的内边缘之间间隔有预定距离；附加层较金属基体具有更大的导磁率。其中的掩膜装置中设置有上述的支撑掩膜版。本发明解决了现有技术中异形屏生产时因掩膜版设计问题而导致的掩膜贴合不良以及产品混色缺陷问题。

本发明授权一种支撑掩膜版及掩膜装置在权利要求书中公布了：1.一种支撑掩膜版，其特征在于，包括： 金属基体21，金属基体21配置有多个第一支撑条201和多个第二支撑条202，第一支撑条201与第二支撑条202垂直相交形成网面，网面内具有至少一个开口20；第一支撑条201和或第二支撑条202上配置有遮挡部212，遮挡部212朝向与之对应的开口20的内侧延伸；以及 附加层22，第一支撑条201和第二支撑条202的围绕开口20的部分形成实体区211，附加层22设置在实体区211，并且附加层22和与其相邻的开口20的内边缘之间间隔有预定距离，所述预定距离为1mm～2mm； 附加层22较金属基体21具有更大的导磁率， 其中，所述金属基体21为不锈钢，所述附加层22为金属镍或者因瓦合金， 其中，采用镀覆工艺将镍加工到所述实体区211上形成金属镍层，或者制作因瓦合金条焊接在所述实体区211； 所述附加层22的厚度小于所述金属基体21的厚度，且不小于金属基体21的厚度的五分之一。

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