清华大学;北京与光科技有限公司崔开宇获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学;北京与光科技有限公司申请的专利针对特定应用光谱库的光谱芯片结构设计方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117309140B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210709226.3，技术领域涉及：G01J3/02；该发明授权针对特定应用光谱库的光谱芯片结构设计方法及装置是由崔开宇;朱鸿博;黄翊东;张巍;冯雪;刘仿设计研发完成，并于2022-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本针对特定应用光谱库的光谱芯片结构设计方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种针对特定应用光谱库的光谱芯片结构设计方法及装置，其中方法包括：获取特定应用光谱库并基于所述特定应用光谱库确定光谱主成分；对所述光谱主成分进行非负化处理，获得非负光谱主成分；基于所述非负光谱主成分确定光谱芯片结构的透射谱。本发明实施例提供的针对特定应用光谱库的光谱芯片结构设计方法及装置，通过光谱主成分概括特定应用光谱库的光谱特征，实现了对光谱库的定量评估，在此基础上设计光谱芯片结构，实现了对于特定应用光谱库的针对性定量设计，从而提高了光谱芯片重建光谱的精度。
本发明授权针对特定应用光谱库的光谱芯片结构设计方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种针对特定应用光谱库的光谱芯片结构设计方法，其特征在于，所述光谱芯片包括：图像传感器和位于图像传感器上方的调制层，所述调制层包括至少一个结构单元，所述方法包括： 获取特定应用光谱库并基于所述特定应用光谱库确定光谱主成分； 对所述光谱主成分进行非负化处理，获得非负光谱主成分； 基于所述非负光谱主成分确定光谱芯片结构的透射谱； 所述基于所述非负光谱主成分确定光谱芯片结构的透射谱包括： 根据所述非负光谱主成分，设计所述光谱芯片结构的透射谱；或 根据所述非负光谱主成分，在预先获取的候选透射谱中，选择所述光谱芯片结构的透射谱； 对所述非负光谱主成分和所述光谱芯片结构的透射谱进行相似度评估，基于所述相似度评估结果对所述光谱芯片结构的透射谱进行优化，具体为以所述非负光谱主成分为参考，进行所述光谱芯片结构透射谱设计或对已有结构的透射谱进行挑选构成光谱芯片结构，其中光谱芯片结构透射谱与所述非负光谱主成分具有高相似度。
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