华为技术有限公司卜思童获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种存储器及存储器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117241588B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210621656.X，技术领域涉及：H10B53/30；该发明授权一种存储器及存储器的制备方法是由卜思童;方亦陈;高强;丁士成;许俊豪设计研发完成，并于2022-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储器及存储器的制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种存储器，其特征在于，包括：衬底、第一存储阵列与第一冗余阵列；第一存储阵列包括由至少一个晶体管与至少一个电容单元构成的堆叠结构，第一存储阵列用于存储数据；第一存储阵列包括由至少一个晶体管与至少一个电容单元构成的堆叠结构，第一冗余阵列与第一存储阵列相对于衬底的高度相同，第一冗余阵列的堆叠结构与第一存储阵列的堆叠结构相同。通过在存储阵列的周围设置与存储阵列具有相同堆叠结构的冗余阵列，可以使存储阵列的边缘部分与中心部分的周围环境相近，从而避免了光刻过程中由于光学反射以及衍射造成的关键尺寸的偏差，并可以提高存储器的结构均匀性。
本发明授权一种存储器及存储器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括：衬底、第一存储阵列与第一冗余阵列； 所述第一存储阵列包括由至少一个晶体管与至少一个电容单元构成的堆叠结构，所述第一存储阵列用于存储数据； 所述第一冗余阵列与所述第一存储阵列相对于所述衬底的高度相同，所述第一冗余阵列包括由至少一个晶体管与至少一个电容单元构成的堆叠结构，所述第一冗余阵列的堆叠结构与所述第一存储阵列的堆叠结构相同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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