厦门乾照光电股份有限公司林志伟获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门乾照光电股份有限公司申请的专利一种红光Mini LED外延结构、芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117174806B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310989435.2，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种红光Mini LED外延结构、芯片及其制作方法是由林志伟;陈凯轩;蔡建九;崔恒平;李敏华设计研发完成，并于2023-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种红光Mini LED外延结构、芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种红光MiniLED外延结构、芯片及其制作方法，其中MiniLED外延结构包括：堆叠结构，堆叠结构包括依次层叠的第一型半导体层、第一界面层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二界面层及第二型半导体层，其中，第一界面层可避免第一型半导体层的掺杂剂扩散导致第一型限制层及第一波导层界面粗化；第二界面层可避免第二型半导体层的掺杂剂扩散导致第二型限制层及第二波导层界面粗化；同时还可避免第一型半导体层和第二型半导体层的掺杂剂扩散至有源区形成非辐射复合中心，导致可靠性降低的问题；且，第一界面、第一波导层、第二波导层及第二界面层皆包括无掺杂的半导体材料层，可有效提升有源区的晶体质量，进而提高内量子效率及光输出功率。
本发明授权一种红光Mini LED外延结构、芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种红光MiniLED外延结构，其特征在于，包括： 生长衬底； 在所述生长衬底上依次层叠的缓冲层、腐蚀截止层和堆叠结构，所述堆叠结构包括沿第一方向依次层叠的第一型半导体层、第一界面层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二界面层及第二型半导体层；所述第一界面层和所述第二界面层用于阻挡掺杂剂扩散及金属材质迁移；所述第一方向垂直于所述生长衬底，并由所述生长衬底指向所述堆叠结构； 其中，所述第一型半导体层包括沿所述第一方向依次层叠的第一型欧姆接触层、第一型电流扩展层及第一型限制层；所述第二型半导体层包括沿所述第一方向依次层叠的第二型限制层、第二型电流扩展层及第二型欧姆接触层； 所述第一界面层、所述第一波导层、所述第二波导层及所述第二界面层皆包括无掺杂的半导体材料层。
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