美光科技公司L·弗拉汀获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利三维存储器装置的解码器架构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117156869B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310630749.3，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权三维存储器装置的解码器架构是由L·弗拉汀;F·佩里兹;P·凡蒂尼设计研发完成，并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器装置的解码器架构在说明书摘要公布了：本申请涉及三维存储器装置的解码器架构。在一些情况下，存储器装置的解码器可包含两个部分。所述解码器的第一部分可制造于所述存储器阵列的顶部，且可包含对与所述存储器阵列的导电柱耦合的第一解码元件阵列进行选择性偏置的柱解码部分和对与所述存储器阵列的字线耦合的第二解码元件阵列进行选择性偏置的字线解码部分。所述解码器的第二部分可实施于单独半导体装置中，所述半导体装置可包含配置成将信号驱动到一组接点的一组逻辑电路，所述一组接点接合到所述第一部分的接点以驱动数字线、电压源和栅极线。
本发明授权三维存储器装置的解码器架构在权利要求书中公布了：1.一种设备，其包括： 第一半导体装置，其包括布置于层级中的多个字线板、延伸穿过所述多个字线板的多个导电柱和解码器的第一部分，所述解码器的所述第一部分包括： 第一多个垂直晶体管，所述第一多个垂直晶体管中的每一垂直晶体管选择性地耦合相应导电柱与多个数字线中的相应数字线； 第二多个垂直晶体管，所述第二多个垂直晶体管中的每一垂直晶体管选择性地耦合相应字线板与多个电压源中的相应电压源；及 多个第一接点，所述多个第一接点的第一子集与所述第一多个垂直晶体管耦合，且所述多个第一接点的第二子集与所述第二多个垂直晶体管耦合；及 第二半导体装置，其包括所述解码器的第二部分，所述解码器的所述第二部分包括形成于所述第二半导体装置的半导体衬底内的一或多个逻辑电路，所述解码器的所述第二部分包括： 多个第二接点；及 第三多个晶体管，所述第三多个晶体管的至少一个子集具有与所述多个第二接点耦合的端子，所述解码器的所述第一部分的所述多个第一接点与所述解码器的所述第二部分的所述多个第二接点接合。
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