山东大学陶继方获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种基于隔热真空腔的MEMS红外光源及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116902903B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310880677.8，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种基于隔热真空腔的MEMS红外光源及其制备方法是由陶继方;冯宇彤设计研发完成，并于2023-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于隔热真空腔的MEMS红外光源及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于隔热真空腔的MEMS红外光源及其制备方法，红外光源包括红外光源主体和键合于其上方的硅帽，红外光源主体包括由下到上依次设置的硅衬底、掩膜层、电阻层和绝缘介质层；电阻层通过金属剥离工艺形成图形化的电阻结构；绝缘介质层为环形；电阻层的焊盘区域沉积有电极层；硅衬底上表面被刻蚀出隔热槽；硅帽键合于绝缘介质层的上方，硅帽与红外光源主体之间形成真空腔体，硅帽内表面沉积有增透膜。本发明所公开的红外光源及制备方法可以解决MEMS红外光源的传热问题，可以有效降低光源与空气之间热对流造成的热量损耗，提高光源的电光转换效率和热辐射，降低光源的功耗，提高在实际工作环境中的稳定性。
本发明授权一种基于隔热真空腔的MEMS红外光源及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于隔热真空腔的MEMS红外光源，其特征在于，包括红外光源主体和键合于其上方的硅帽，所述红外光源主体包括由下到上依次设置的硅衬底、掩膜层、电阻层和绝缘介质层；所述电阻层通过金属剥离工艺形成图形化的电阻结构，电阻结构中心区域为螺旋状，作为加热区域；边侧区域为长方形形状，作为焊盘区域，加热区域和焊盘区域通过连接电阻连接；所述绝缘介质层为环形，分布于加热区域和焊盘区域之间的掩膜层上，部分位于连接电阻上；所述电阻层的焊盘区域沉积有电极层；位于加热区域四周的掩膜层通过刻蚀形成四个腐蚀窗口，所述硅衬底上表面通过腐蚀窗口被刻蚀出隔热槽；所述硅帽键合于绝缘介质层的上方，硅帽与红外光源主体之间形成真空腔体，所述硅帽内表面沉积有增透膜，所述硅帽外表面沉积有增透膜；硅帽的制备方法如下：在硅晶圆上旋涂一层光刻胶，再经过光刻曝光后形成刻蚀区域，最后通过ICP刻蚀形成硅帽，并用PECVD方法沉积增透膜。
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