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龙图腾网获悉中国科学院化学研究所申请的专利一种基于准分子紫外光搭建高密度柔性有机电化学晶体管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116840322B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210281947.9，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权一种基于准分子紫外光搭建高密度柔性有机电化学晶体管的方法是由刘云圻;刘国才;郭云龙设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于准分子紫外光搭建高密度柔性有机电化学晶体管的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于准分子紫外光制备高密度柔性有机电化学晶体管的方法。本发明首先创新了有机电化学晶体管的器件结构，将晶体管的活性层与源漏电极合为一体，以缩小器件尺寸提高密度；采用172nm准分子紫外光实现对器件电极、活性层、沟道等图案化，相比于传统光刻技术减少了制备流程，低成本、简单易行；该技术可控地搭建沟道长度2～15μm的器件，且在＜1V电压下即可正常工作；并有效地将有机电化学晶体管的栅电解质层图案化，解决了器件间的共栅连通问题，最终器件的密度可控在每平方厘米15,000～105,000个，并成功地从硬质基底上剥离下来，形成柔性可贴合的电化学器件；该发明有利的推动了电化学晶体管在信息技术、生物传感等领域的应用。

本发明授权一种基于准分子紫外光搭建高密度柔性有机电化学晶体管的方法在权利要求书中公布了：1.一种基于准分子紫外光搭建高密度柔性有机电化学晶体管的方法，包括如下步骤： 1在硬质基底上涂覆一层抗腐蚀的有机聚合物，退火形成薄膜； 2在步骤1所述薄膜上，涂覆一层聚合物牺牲层，并退火； 3用准分子紫外光通过光刻版刻蚀步骤2所涂覆的半透明聚合物牺牲层，透光部分被刻蚀掉形成两个沟槽，不透光部分保留，所述的两个沟槽为两个互不连接的独立部分； 4在步骤3处理后的牺牲层上涂覆导电聚合物聚苯乙烯磺酸盐掺杂的聚3,4-乙撑二氧噻吩PEDOT:PSS，并退火； 5将步骤4所得样品浸泡在有机溶剂中，洗掉步骤3处理后剩余的聚合物牺牲层及其上层的PEDOT:PSS，留下图案化的PEDOT:PSS；所述PEDOT:PSS作为晶体管的源漏栅电极以及活性层，且源漏电极和活性层是一体的作为一个模块，栅电极为另一个模块，分别位于步骤3所形成的两个沟槽处； 6在步骤5图案化后的PEDOT:PSS上涂覆一层与所述步骤2相同的半透明聚合物牺牲层，并退火；然后用准分子紫外光刻蚀此牺牲层进行图案化，形成一窄沟槽，且该沟槽横跨步骤5中的两个模块，该沟槽的宽度即为所述有机电化学晶体管的沟道长度； 7在步骤6图案化的牺牲层上涂覆一层离子导体，并将除步骤6刻蚀区域之外的离子导体去掉； 8将上述形成的器件从步骤1所述硬质基底上剥离下来，得到柔性有机电化学晶体管。

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