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龙图腾网获悉研微(江苏)半导体科技有限公司申请的专利半导体沉积设备的进气装置、进气方法及衬底处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116716594B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310658721.0，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权半导体沉积设备的进气装置、进气方法及衬底处理装置是由董斌;苏扬扬设计研发完成，并于2023-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体沉积设备的进气装置、进气方法及衬底处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体沉积设备的进气装置、进气方法及衬底处理装置，所述进气装置包括混管路、混合器和扩散器，管路流体连接至混合器，管路上设有阀门，阀门用于对通入的工艺气体进行控制，由混合器混合后的工艺气体通入扩散器并流入反应器。混合器具有内腔、相对设置的第一端部和第二端部；混合器在侧壁设有气体通道，用于输入反应器所需的工艺气体；第二端部设有流体连通至反应器的气体出口；内腔中设有由第一端部向第二端部延伸的导流部，导流部的外壁设有凸出部，内腔的内壁设有槽，使内腔的气体形成湍流。本发明的混合器还能在其内腔的螺旋凸出部上间隔设置鱼鳍状的突起结构，使螺旋通道中形成局部湍流，提高气体混合效果。

本发明授权半导体沉积设备的进气装置、进气方法及衬底处理装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体沉积设备的进气装置，用于向半导体沉积设备的反应器通入气体反应源，其特征在于，所述进气装置包括管路、混合器和扩散器，所述管路流体连接至所述混合器，所述管路上设有阀门，所述阀门用于对通入所述混合器的工艺气体进行控制，所述混合器中混合后的工艺气体通入所述扩散器，所述扩散器流体连通至所述反应器；其中， 所述混合器具有内腔，所述混合器还包括第一端部和第二端部，所述第一端部和所述第二端部相对设置；所述内腔从所述第一端部至所述第二端部的截面面积相同；所述第二端部设有气体出口，所述气体出口流体连通至所述扩散器； 所述混合器在不同于所述第一端部和所述第二端部的侧部设有连通至所述内腔的气体通道，所述气体通道流体连接所述管路用于输入所述反应器所需的第一气体和或第二气体； 所述内腔中设有导流部，所述导流部由所述第一端部向所述第二端部延伸，使所述内腔中形成流动空间，由所述气体通道进入的第一气体和或第二气体在所述流动空间中流动混合后通入所述反应器； 所述导流部的外壁面向所述内腔沿所述导流部的延伸方向环设有螺旋状的凸出部，使所述内腔中的流动空间内形成螺旋流动通道； 所述内腔的内壁沿所述导流部的延伸方向环设有螺旋状的槽，所述螺旋状的槽与所述凸出部对应设置，使进入所述内腔的气体在所述流动空间内螺旋流动混合； 所述内腔与所述导流部之间具有间隙，由所述气体通道进入所述内腔的混合气体在所述流动空间内螺旋流动的同时沿所述导流部的延伸方向流动； 所述混合器采用耐特定温度及腐蚀的材料，选用铝、铝合金、钛、陶瓷、不锈钢或哈式合金；并根据不同的薄膜沉积工艺选择不同的二次处理，其中所述二次处理为：表面钝化、机械处理或增加涂层； 所述凸出部上间隔设有若干鱼鳍状的突起结构。

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