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龙图腾网获悉TDK株式会社申请的专利磁传感器、磁性编码器、透镜位置检测装置和测距装置以及磁传感器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116698090B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310176254.8，技术领域涉及：G01D5/245；该发明授权磁传感器、磁性编码器、透镜位置检测装置和测距装置以及磁传感器的制造方法是由梅原刚;原田健太郎;蔡永福设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁传感器、磁性编码器、透镜位置检测装置和测距装置以及磁传感器的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种磁传感器、磁性编码器、透镜位置检测装置和测距装置以及磁传感器的制造方法。在磁传感器中，第一和第二电阻体设置在连接电源端口与第一输出端口的路径上，第三和第四电阻体设置在连接接地端口与第一输出端口的路径上。在与X方向平行的方向上，第一电阻体与第二电阻体之间的间隔和第三电阻体与第四电阻体之间的间隔均为λ2，第一电阻体与第三电阻体之间的间隔为零。第一和第四电阻体中的磁化固定层的磁化包含‑X方向的成分。第二和第三电阻体中的磁化固定层的磁化包含X方向的成分。

本发明授权磁传感器、磁性编码器、透镜位置检测装置和测距装置以及磁传感器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种磁传感器，其特征在于， 是构成为对包含第一方向的磁场成分的对象磁场进行检测的磁传感器， 所述磁传感器包括： 分别以电阻值随所述磁场成分的强度的变化而变化的方式构成的第一电阻体、第二电阻体、第三电阻体和第四电阻体； 电源端口； 接地端口；和 第一输出端口， 所述第一电阻体和所述第二电阻体在连接所述电源端口与所述第一输出端口的第一路径上从所述电源端口侧起依次设置， 所述第三电阻体和所述第四电阻体在连接所述接地端口与所述第一输出端口的第二路径上从所述接地端口侧起依次设置， 所述第一方向上的所述第一电阻体内的第一位置与所述第二电阻体内的第二位置之间的间隔等于规定的节距的12的奇数倍， 所述第一方向上的所述第三电阻体内的第三位置与所述第四电阻体内的第四位置之间的间隔等于所述规定的节距的12的奇数倍， 所述第一方向上的所述第一位置与所述第三位置之间的间隔等于零或所述规定的节距的整数倍， 所述规定的节距是在假设所述磁场成分的强度沿着所述第一方向周期性地按规定的周期变化时，与所述磁场成分的强度的变化的1个周期相当的长度， 所述磁传感器还包括多个磁阻效应元件， 所述多个磁阻效应元件各自包括磁化固定层、自由层、以及配置在所述磁化固定层与所述自由层之间的间隙层， 所述磁化固定层具有方向固定的第一磁化， 所述自由层具有第二磁化，所述第二磁化的方向能够在与所述第一方向和与所述第一方向正交的第二方向这两者平行的平面内变化， 所述磁化固定层、所述自由层以及所述间隙层在与所述第一方向和所述第二方向正交的第三方向上层叠， 所述第一电阻体至所述第四电阻体使用多个磁阻效应元件构成， 所述第一电阻体和所述第四电阻体中的所述磁化固定层的所述第一磁化包含第一磁化方向的成分，其中，所述第一磁化方向是与所述第一方向平行的一个方向， 所述第二电阻体和所述第三电阻体中的所述磁化固定层的所述第一磁化包含与所述第一磁化方向相反的第二磁化方向的成分。

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