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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种确定不可逆收缩范围内C-S-H孔隙结构的计算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116682508B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310379303.8，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种确定不可逆收缩范围内C-S-H孔隙结构的计算方法是由万克树;贺志强设计研发完成，并于2023-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种确定不可逆收缩范围内C-S-H孔隙结构的计算方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种确定不可逆收缩范围内C‑S‑H孔隙结构的计算方法，包括以下步骤：建立C‑S‑H孔隙结构模型；采用亥姆霍兹自由能描述C‑S‑H孔隙结构模型的能量；建立与物理熵相关的能量部分与孔隙结构的关系；建立与总体积相关的能量部分与孔隙结构的关系；建立与表面能相关的能量部分与孔隙结构的关系；确定计算参数，对C‑S‑H孔隙结构模型在给定计算范围内进行能量计算；确定有效的C‑S‑H孔隙结构能量计算范围；基于能量最小原理，确定稳定的C‑S‑H孔隙结构模型对应的结构信息和结构参数。本发明解决了现有技术中各种实验测量方法以及结构模型对于C‑S‑H孔隙结构在不同湿度下的结构表征停留在定性描述层面，没有定量地描述C‑S‑H孔隙结构信息的问题。

本发明授权一种确定不可逆收缩范围内C-S-H孔隙结构的计算方法在权利要求书中公布了：1.一种确定不可逆收缩范围内C-S-H孔隙结构的计算方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：建立C-S-H孔隙结构模型，具体为： C-S-H孔隙结构模型由C-S-H基本单元和孔隙组成，其中孔隙为圆柱孔，遵循单个对数正态分布的形式，孔隙分布为： 1， 式中，φ为位置参数，δ为形状参数，为单个孔隙的直径； 建立C-S-H孔隙结构模型的总表面积、孔隙总体积以及C-S-H基本单元总体积之间的关系式： 2， 式中，Ssur为C-S-H孔隙结构模型的总表面积，Vp为孔隙总体积，Vs为C-S-H基本单元的总体积，为C-S-H基本单元的密度，Sm为基本单元的比表面积； 步骤S2：采用亥姆霍兹自由能描述C-S-H孔隙结构模型的能量，具体为： 3， 式中，F为亥姆霍兹自由能，μ为化学势，N为固相数，T为温度，S为物理熵，P为环境压力，V为孔隙总体积Vp与C-S-H基本单元总体积Vs之和，γ为表面能，A为C-S-H孔隙结构模型的总表面积Ssur； 步骤S3：采用信息熵H代替亥姆霍兹自由能中的物理熵S，并引入系数，建立与物理熵相关的能量部分与孔隙结构的关系，具体为：在与物理熵相关的能量部分TS中引入表示物理熵与信息熵之间数值大小关系的系数， 5； 步骤S4：根据介孔材料的热力学模型计算吸附应力，并将吸附应力替代亥姆霍兹自由能中的环境压力，建立与总体积相关的能量部分与孔隙结构的关系，具体为：建立与C-S-H孔隙结构总体积相关的能量部分与孔隙结构的关系式，其中吸附应力为： 6， 式中，h为吸附膜厚度，为固液界面能，为理想气体常数，VL为吸附相的摩尔体积，pp0为相对湿度，Пh为拆开压的表达式，dmax为最大孔径，取无穷大，dmin为最小孔径，取1nm，dc为临界直径，为孔隙分布，为单个孔隙的直径； 步骤S5：建立与表面能相关的能量部分与孔隙结构的关系，具体为：计算C-S-H孔隙结构模型与表面能相关的能量部分： 7， 式中，为吸附相表面能； 步骤S6：确定计算参数，对C-S-H孔隙结构模型在给定计算范围内进行能量计算； 步骤S7：确定有效的C-S-H孔隙结构能量计算范围； 步骤S8：基于C-S-H孔隙结构能量越小，结构越稳定原理，确定稳定的C-S-H孔隙结构模型对应的结构信息和结构参数，结构信息包括C-S-H孔隙结构的孔隙分布、孔隙体积和孔隙率，结构参数包括孔隙分布的位置参数和形状参数。

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