安徽大学方明获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种基于等离子体复合材料的双通道吸波装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116505286B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310698127.4，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权一种基于等离子体复合材料的双通道吸波装置是由方明;聂嘉越;邓学松;李志刚;冯健;徐柯;黄志祥设计研发完成，并于2023-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于等离子体复合材料的双通道吸波装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于等离子体复合材料的双通道吸波装置，涉及等离子体应用领域，装置包括：金属基底、第一吸波材料层、等离子体阵列、第二吸波材料层、第一隔离保护层和第二隔离保护层；第一吸波材料层设于金属基底上表面；第一吸波材料层上方设有等离子体阵列；等离子体阵列的上方设有第二吸波材料层；第一隔离保护层和第二隔离保护层设于等离子阵列的两侧；两个吸波材料层和两个隔离保护层构成空腔结构；等离子体阵列设于空腔结构中，使得等离子体阵列处于吸波材料层构成的空腔中，有利于等离子体电子密度的产生和保持，从而提高吸波效果和吸波性能，另外，利用等离子体和吸波材料层相结合形成了复合双通道吸波结构，大大提升吸波性能。
本发明授权一种基于等离子体复合材料的双通道吸波装置在权利要求书中公布了：1.一种基于等离子体复合材料的双通道吸波装置，其特征在于，所述装置包括：金属基底、第一吸波材料层、等离子体阵列、第二吸波材料层、第一隔离保护层和第二隔离保护层； 所述第一吸波材料层设于所述金属基底上表面；所述第一吸波材料层上方设有所述等离子体阵列；所述等离子体阵列的上方设有所述第二吸波材料层； 所述第一隔离保护层和所述第二隔离保护层设于所述等离子阵列的两侧； 所述第一吸波材料层、所述第二吸波材料层、所述第一隔离保护层和所述第二隔离保护层构成空腔结构；所述等离子体阵列设于所述空腔结构中； 所述第一吸波材料层包括第三隔离保护层和第一ITO层； 所述第三隔离保护层设于所述金属基底上表面； 所述第一ITO层设于所述第三隔离保护层的上表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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