天津巴莫科技有限责任公司刘开喜获国家专利权
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龙图腾网获悉天津巴莫科技有限责任公司申请的专利富锂钴酸锂正极材料、制备方法、正极片和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116487566B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310625608.2，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权富锂钴酸锂正极材料、制备方法、正极片和应用是由刘开喜;王琛;王清辉;汪云锋设计研发完成，并于2023-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本富锂钴酸锂正极材料、制备方法、正极片和应用在说明书摘要公布了：本申请涉及一种富锂钴酸锂正极材料，该富锂钴酸锂正极材料包括内核和包覆在内核表面的包覆层，内核包括正极材料基体和补锂层，补锂层包覆在正极材料基体的表面；补锂层包括化学式为Li1+y1+yCo1‑n1‑nQnnO22的材料，其中，Q元素包括Al、Mg、La、Y、Ti、Zr、W、Ni、Mn、Ce、Nb、Ta、Ru、Hf、V、Cr、Mo和Pd中的一种或多种，0.1≤y≤0.5,0.03≤n≤0.04。上述富锂钴酸锂正极材料具有较高的首次放电比容量，有效提升了含有该富锂钴酸锂正极材料的二次电池的首次库伦效率和可逆能量密度。
本发明授权富锂钴酸锂正极材料、制备方法、正极片和应用在权利要求书中公布了：1.一种富锂钴酸锂正极材料，其特征在于，包括内核和包覆在所述内核表面的包覆层，所述内核包括正极材料基体和补锂层，所述补锂层包覆在所述正极材料基体的表面，所述正极材料基体与有机锂溶剂通过化学预锂化在所述正极材料基体的表面形成所述补锂层；所述正极材料基体包括化学式为Li1+xCo1-mMmO2的材料，其中，M元素包括Al、Mg、La、Y、Ti、Zr、W、Ni、Mn、Ce、Nb、Ta、Ru、Hf、V、Cr、Mo和Pd中的一种或多种，0.01≤x≤0.06,0.03≤m≤0.04；所述补锂层包括化学式为Li1+yCo1-nQnO2的材料，其中，Q元素包括Al、Mg、La、Y、Ti、Zr、W、Ni、Mn、Ce、Nb、Ta、Ru、Hf、V、Cr、Mo和Pd中的一种或多种，0.1≤y≤0.5,0.03≤n≤0.04。
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